Publications

Affichage de 13411 à 13420 sur 16055


  • COMM

Réalisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de 20nm de longueur de grille

I. Duszynski, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126727⟩

  • COMM

Imagerie millimétrique à 60 GHz et analyse par réseaux de neurones artificiels pour le contrôle non destructif de la qualité de collage de matériaux plans

M. Maazi, D. Glay, T. Lasri

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126732⟩

  • COMM

Micro-commutateurs MEMS série sur arséniure de gallium avec encapsulation pour antennes intelligentes pour réseau d'objets mobiles communicants à 60 GHz

A. Boé, M. Fryziel, N. Deparis, Christophe Loyez, N. Rolland, H. Toshiyoshi, P.A. Rolland

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126743⟩

  • COMM

Novel dual-mode locking semiconductor laser for millimetre-wave generation

P. Acedo, C. Roda, H. Lamela, G. Carpintero, Jean-Pierre Vilcot, S. Garidel

2005, pp.59580V-1-9. ⟨hal-00130833⟩

  • COMM

Comparative study for LAN using POF and silica fibre

C. Lethien, A. Goffin, Jean-Pierre Vilcot, Christophe Loyez

NEFERTITI Workshop on Millimetre Wave Photonic Devices and Technologies for Wireless and Imaging Applications, 2005, Bruxelles, Belgium. ⟨hal-00130837⟩

  • COMM

Dual-wavelength multimode fibre transmission of digital and RF signals

C. Sion, A. Roche, A. da Costa, C. Lethien, Christophe Loyez, Jean-Pierre Vilcot, R. Hamelin

12th European NEFERTITI Workshop on Photonics and Wireless Communications - Cost Effective and Future Applications, 2005, Göteborg, Sweden. ⟨hal-00130842⟩

  • COMM

A DCT-domain postprocessor for color bleeding removal

François-Xavier Coudoux, Marc G. Gazalet, Patrick Corlay

2005, pp.I-209. ⟨hal-00131105⟩

  • OUV

Group-IV Semiconductor Nanostructures - Materials Research Society 2004 Fall Symposium Proceedings, volume 832

L. Tsybeskov, D.J. Lockwood, C. Delerue, M. Ichikawa

Materials Research Society, Warrendale, PA, USA, pp.F1.1 - F11.8, 2005. ⟨hal-00131730⟩

  • COMM

High frequency low noise potentialities of down to 65nm technology nodes MOSFETs

Gilles Dambrine, Daniel Gloria, Patrick Scheerer, Christine Raynaud, Francois Danneville, Sylvie Lepilliet, Alexandre Siligaris, Guillaume Pailloncy, Baudouin Martineau, Emmanuel Bouhana, Raphael Valentin

65 nm n-MOSFETs show state-of-the-art cut-off frequency with f t = 210 GHz and microwave low noise and high gain properties (NF min = 0.8 dB and G ass = 17.3 dB at 12 GHz). As compared with the previous nodes, the high frequency properties of these MOSFETs continue to be in agreement with the…

European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2005, Oct 2005, Paris, France. pp.97-100. ⟨hal-00125303⟩