Publications

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  • Communication dans un congrès

HEMT In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As double-grille de longueur 100nm

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126724⟩

  • Communication dans un congrès

Développement d'une technique de calibrage adaptatif pour la mesure de paramètres S en gamme millimétrique

Kamel Haddadi, M. Maazi, D. Glay, T. Lasri

Actes des 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, Rabat, Maroc. ⟨hal-00126728⟩

  • Communication dans un congrès

Système et technique de calibrage associée pour la mesure de paramètre S à 60 GHz

Kamel Haddadi, D. Glay, T. Lasri

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126744⟩

  • Communication dans un congrès

Etudes de couches minces de PMN-PT déposées par pulvérisation cathodique sur Pt/TiOx/Si/SiO2 et LaNiO3/SiO2/Si

Mickael Detalle, G.S. Wang, Pascal Roussel, E. Fribourg-Blanc, El Hadj Dogheche, Eric Cattan, Denis Remiens

Journée Couches Minces Ferroélectriques 2005, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00104971⟩

  • Autre publication scientifique

Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion et enrichissement pour applications haute fréquence

V. Roucher

2005. ⟨hal-00126204⟩

  • Communication dans un congrès

Effet tunnel inélastique dans les jonctions silicium/alkylesilane/métal

C. Petit, G. Salace, S. Lenfant, D. Vuillaume

Journées des Polymères Conducteurs, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126218⟩

  • Communication dans un congrès

Mise en œuvre d'un réseau de neurones artificiels pour l'imagerie millimétrique à 60 GHz

M. Maazi, D. Glay, T. Lasri

Actes des 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, Rabat, Maroc. ⟨hal-00126740⟩

  • Article dans une revue

Realization of sub-micron patterns on GaAs using a HSQ etching mask

D. Lauvernier, S. Garidel, C. Legrand, Jean-Pierre Vilcot

Microelectronic Engineering, 2005, 77, pp.210-216. ⟨hal-00125656⟩

  • Article dans une revue

100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy

IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.601-603. ⟨hal-00125132⟩

  • Communication dans un congrès

Behavior of a common source traveling wave amplifier versus temperature in SOI technology

M. Si Moussa, C. Pavageau, P. Simon, Francois Danneville, J. Russat, N. Fel, J.P. Raskin, D. Vanhoenacker-Janvier

2005, 4 pp. ⟨hal-00126768⟩