Publications

Affichage de 13681 à 13690 sur 16302


  • Communication dans un congrès

New technological bricks for photonic advanced structures

S. Garidel, Jean-Pierre Vilcot, M. Francois, M. Muller, Didier Decoster

International Conference on Nanotechnology : Science and Application, NanoTech Insight'05, 2005, Louxor, Egypt. ⟨hal-00126232⟩

  • Communication dans un congrès

Nanotechnologie, micro et nanosystèmes

Bernard Legrand

5ème Colloque International TELECOM'2005 & 4èmes Journées Franco-Magrhébines des Micro-ondes et leurs Applications, JFMMA, 2005, Rabat, Maroc. ⟨hal-00126233⟩

  • Communication dans un congrès

Nucleation of semiconductor quantum dots on nanomesas : role of stressors and early stages of capping process

C. Priester, C. Meynier

2005, pp.901-Ra13-03.1 - 901-Ra13-03.6. ⟨hal-00126206⟩

  • Communication dans un congrès

Imagerie millimétrique à 60 GHz et analyse par réseaux de neurones artificiels pour le contrôle non destructif de la qualité de collage de matériaux plans

M. Maazi, D. Glay, T. Lasri

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126732⟩

  • Communication dans un congrès

Technologie, simulation et caractérisation à T=300K de dispositifs balistiques de type GaInAs/AlInAs avec grille de commande

J.S. Galloo, C. Gardes, Z. Teukam, Yannick Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126725⟩

  • Communication dans un congrès

Méthode de conception de filtres planaires en bande G

Gaëtan Prigent, Eric Rius, Henri Happy, Karine Blary, Sylvie Lepilliet

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, May 2005, Nantes, France. ⟨hal-00127057⟩

  • Article dans une revue

Ultrasonic cavitation in thin liquid layers

A. Moussatov, C. Granger, Bertrand Dubus

Ultrasonics Sonochemistry, 2005, 12, pp.415-422. ⟨hal-00124472⟩

  • Communication dans un congrès

High frequency low noise potentialities of down to 65nm technology nodes MOSFETs

Gilles Dambrine, Daniel Gloria, Patrick Scheerer, Christine Raynaud, Francois Danneville, Sylvie Lepilliet, Alexandre Siligaris, Guillaume Pailloncy, Baudouin Martineau, Emmanuel Bouhana, Raphael Valentin

65 nm n-MOSFETs show state-of-the-art cut-off frequency with f t = 210 GHz and microwave low noise and high gain properties (NF min = 0.8 dB and G ass = 17.3 dB at 12 GHz). As compared with the previous nodes, the high frequency properties of these MOSFETs continue to be in agreement with the…

European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2005, Oct 2005, Paris, France. pp.97-100. ⟨hal-00125303⟩