Publications

• Communication dans un congrès

Fabrication of nano-ballistic devices using high resolution process

Emmanuelle Pichonat, Jean-Sebastien Galloo, Yannick Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, Javier Mateos, Tomás González, Hervé Boutry, Vincent Bayot, Lukasz Bednarz

Trends in NanoTechnology, TNT 2003, Sep 2003, Salamanca, Spain. ⟨hal-00146012⟩

• Communication dans un congrès

Non-linear phenomenological model for RF advanced MOSFET

A. Siligaris, Gilles Dambrine, Sylvie Lepilliet, D. Schreurs, Francois Danneville

European IC-CAP User Meeting, 2003, Prague, Czech Republic. ⟨hal-00146016⟩

• Communication dans un congrès

Acoustique picoseconde et structure électronique

Arnaud Devos

2èmes Journées Ultrasons-Laser, 2003, Paris, France. ⟨hal-00145962⟩

• Communication dans un congrès

IEMN : a center of the french network for basic research in Micro@Nano technology

A. Cappy

Trends in NanoTechnology, TNT 2003, 2003, Salamanca, Spain. ⟨hal-00146046⟩

• Communication dans un congrès

Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures

Eric Lheurette, M. Le Roy, O. Vanbésien, D. Lippens

Proceedings of the 14th Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices, 2003, Barcelona, Spain. ⟨hal-00146102⟩

• Communication dans un congrès

Propriétés vibratoires d'une chaîne finie de sphères couplées

Anne-Christine Hladky, Arnaud Devos, M. de Billy

Actes des Journées du GDR 2501 : Etude de la propagation ultrasonore en milieux inhomogènes en vue du contrôle non destructif, 2003, Aussois, France. ⟨hal-00145975⟩

• Article dans une revue

Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices

J. Mateos, B.G. Vasallo, D. Pardo, J.S. Galloo, S. Bollaert, Yannick Roelens, A. Cappy

IEEE Transactions on Electron Devices, 2003, 50, pp.1897-1905. ⟨hal-00145980⟩

• Communication dans un congrès

Noise modelling of 0.25 µm fully depleted SOI MOSFETs

G. Pailloncy, Gilles Dambrine, Francois Danneville, B. Iniguez, J.P. Raskin

2003, pp.577-580. ⟨hal-00145992⟩

• Communication dans un congrès

Influence of growth conditions on the structural, optical and electrical quality of MBE grown InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs

Yvon Cordier, P. Lorenzini, Jean Michel Chauveau, D. Ferré, Ydir Androussi, J. Dipersio, Dominique Vignaud, Jean-Louis Codron

InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs have demonstrated low noise figures and high output powers with obvious advantages over structures grown on InP substrates. Indeed, from a processing viewpoint, the GaAs substrate is less brittle, less expensive, available in size up to 6 inches in diameter…

International Conference on Molecular Bean Epitaxy, Sep 2002, San Francisco, CA, United States. pp.822-826, ⟨10.1109/MBE.2002.1037764⟩. ⟨hal-00146110⟩

• Communication dans un congrès

Etude et optimisation de commutateurs DOS à haute diaphotie sur InP

Malek Zegaoui, Joseph Harari, V. Magnin, Didier Decoster

22èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, JNOG 2003, Nov 2003, Valence, France. ⟨hal-00146563⟩