Publications

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  • Communication dans un congrès

Acoustique picoseconde et structure électronique

Arnaud Devos

2èmes Journées Ultrasons-Laser, 2003, Paris, France. ⟨hal-00145962⟩

  • Communication dans un congrès

Propriétés vibratoires d'une chaîne finie de sphères couplées

Anne-Christine Hladky, Arnaud Devos, M. de Billy

Actes des Journées du GDR 2501 : Etude de la propagation ultrasonore en milieux inhomogènes en vue du contrôle non destructif, 2003, Aussois, France. ⟨hal-00145975⟩

  • Article dans une revue

Ballistic nanodevices for terahertz data processing : Monte Carlo simulations

J. Mateos, B.G. Vasallo, D. Pardo, T. Gonzales, Yannick Roelens, S. Bollaert, A. Cappy

Nanotechnology, 2003, 14, pp.117-122. ⟨hal-00145979⟩

  • Article dans une revue

Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices

J. Mateos, B.G. Vasallo, D. Pardo, J.S. Galloo, S. Bollaert, Yannick Roelens, A. Cappy

IEEE Transactions on Electron Devices, 2003, 50, pp.1897-1905. ⟨hal-00145980⟩

  • Communication dans un congrès

Noise modelling of 0.25 µm fully depleted SOI MOSFETs

G. Pailloncy, Gilles Dambrine, Francois Danneville, B. Iniguez, J.P. Raskin

2003, pp.577-580. ⟨hal-00145992⟩

  • Communication dans un congrès

Validation d'un modèle non linéaire pour MOSFET au moyen des mesures grand signal

A. Siligaris, Gilles Dambrine, D. Schreurs, Francois Danneville

2003, pp.6A-4. ⟨hal-00146013⟩

  • Communication dans un congrès

Non-linear phenomenological model for RF advanced MOSFET

A. Siligaris, Gilles Dambrine, Sylvie Lepilliet, D. Schreurs, Francois Danneville

European IC-CAP User Meeting, 2003, Prague, Czech Republic. ⟨hal-00146016⟩

  • Communication dans un congrès

HEMT technology for power applications at 94 GHz and above

F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, Jean-Claude de Jaeger, D. Theron

12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain. ⟨hal-00146695⟩

  • Communication dans un congrès

Etude physique du phénomène de claquage par avalanche dans les transistors à effet de champ

M. Elkhou, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger

2003, pp.2D-21. ⟨hal-00146663⟩

  • Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Maurice Tordjman, A. Romann, M. Magis, Raphaël Aubry, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, B. Grimbert, Christophe Gaquière

Proceedings of the Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5, 2003, Nara, Japan. ⟨hal-00146685⟩