Publications

Affichage de 14741 à 14750 sur 16255


  • Communication dans un congrès

Realization, characterization and modelling of pentacene based organic thin film transistors

K. Lmimouni, M. Berliocchi, Denis Remiens, D. Vuillaume, A. Bolognesi, A. Pecchia, A. Di Carlo, P. Lugli

INF Meeting, 2002, Bari, Italy. ⟨hal-00148724⟩

  • Article dans une revue

Influence of the step covering on fatigue phenomenon for polycrystalline silicon micro-electro-mechanical-systems (MEMS)

O. Millet, Bernard Legrand, D. Collard, L. Buchaillot

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2002, 41, pp.L1339-L1341. ⟨hal-00250391⟩

  • Article dans une revue

S. Carnot’s Réflexions: a theory based on non–classical Logic

Antonino Drago, Raffaele Pisano

Bulletin of Symbolic Logic, 2002, 8 (131), pp.131-132. ⟨hal-04508058⟩

  • Autre publication scientifique

Conception et réalisation d'un séparateur acousto-optique de polarisation

A. Sakkour

2002. ⟨hal-00162705⟩

  • Article dans une revue

From nanoelectronics to nanotechnology

Emmanuel Dubois

Belgian Journal of Electronics & Communications HF, 2002, 3, pp.9-16. ⟨hal-00250387⟩

  • Communication dans un congrès

On the physical interest of some numerical methods for wave phase conjugation in active media

A. Merlen, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

2002, pp.208. ⟨hal-00148692⟩

  • Communication dans un congrès

High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, D. Ducatteau, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, M. Leys, I. Moervan, S. Borghs

2002, 4 pp. ⟨hal-00149700⟩

  • Communication dans un congrès

Analyse physique des HEMTs à base de nitrure de gallium

M. Elkhou, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger

GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149718⟩