Publications

• Communication dans un congrès

Etude et réalisation de transducteurs millimétriques

Anne-Christine Hladky, S. Alkoy, D.C. Markley, R.J. Meyer, W.J. Hughes, J. Cochran, R.E. Newnham

2002, pp.256-259. ⟨hal-00147778⟩

• Communication dans un congrès

Characterization of surface cracks in metals by microwave techniques

D. Glay, T. Lasri

2002, pp.50-52. ⟨hal-00147878⟩

• Autre publication scientifique

Conception et réalisation de microradiomètres thermiques sur substrats polymères adaptés à la sécurité des biens et des personnes en milieu industriel

A. Ebongue

2002. ⟨hal-00148730⟩

• Communication dans un congrès

AlGaN/GaN HEMT for RF power applications

Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougria, S. Cassette, E. Chartier, Y. Cordier, Gilles Dambrine, E. Delos, M.A. Poisson, S. Delage, B. Dessertenne, D. Ducatteau, M. Elkhou, D. Floriot, Christophe Gaquière, Et Al.

10th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2002, 2002, Milano, Italy. ⟨hal-00149736⟩

• Autre publication scientifique

Conception et réalisation d'un séparateur acousto-optique de polarisation

A. Sakkour

2002. ⟨hal-00162705⟩

• Article dans une revue

From nanoelectronics to nanotechnology

Emmanuel Dubois

Belgian Journal of Electronics & Communications HF, 2002, 3, pp.9-16. ⟨hal-00250387⟩

• Communication dans un congrès

On the physical interest of some numerical methods for wave phase conjugation in active media

A. Merlen, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

2002, pp.208. ⟨hal-00148692⟩

• Communication dans un congrès

High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, D. Ducatteau, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, M. Leys, I. Moervan, S. Borghs

2002, 4 pp. ⟨hal-00149700⟩

• Communication dans un congrès

Analyse physique des HEMTs à base de nitrure de gallium

M. Elkhou, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger

GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149718⟩

• Article dans une revue

High linearity performance of gallium nitride HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz

Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Yannick Guhel, Matthieu Werquin, Frédéric Bue-Erkmen, Sylvain Laurent Delage, B. Boudart, Fabrice Semond, Jean-Claude de Jaeger

In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels compared to usual GaAs PHEMT devices. This study demonstrates that the high…

IEEE Electron Device Letters, 2002, 23 (8), pp.461-463. ⟨10.1109/LED.2002.801328⟩. ⟨hal-00149698⟩