Publications

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  • Communication dans un congrès

Effet d'auto-collimation pour des sources hyperfréquences à cavité à bande interdite photonique

Jérôme Danglot, Tahsin Akalin, Olivier Vanbésien, Didier Lippens

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152051⟩

  • Communication dans un congrès

Premiers essais de réalisation de nanostructures sur épitaxies et hétérostructures GaAs hydrogénées par écriture directe au masqueur électronique

L. Kurowski, S. Silvestre, D. Bernard-Loridant, E. Constant, B. Sieber

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152511⟩

  • Communication dans un congrès

Acoustical bistability in a nonlinear gematite resonator

Y. Fetisov, F. Merkelov, V. Moshkin, Vladimir Preobrazhensky, Y. Pil'Nov

2001, pp.72. ⟨hal-00152110⟩

  • Communication dans un congrès

Power LDMOS design using an SOI RESURF architecture : on state / breakdown voltage trade-off

Emmanuel Dubois, K. Suzuki, E. Lampin

Franco-Swedish Workshop on SOI, 2001, Grenoble, France. ⟨hal-00152238⟩

  • Communication dans un congrès

An efficient modelling of the impulse response of the indoor power line communication channels in high frequency range

Patrick Corlay, François-Xavier Coudoux, Marc G. Gazalet, F. Ruolt, F. Haine

2001, pp.149-154. ⟨hal-00152914⟩

  • Article dans une revue

Theoretical analysis of the density of states and phase times: Application to resonant electromagnetic modes in finite superlattices

M. Lahlaouti, Abdellatif Akjouj, B. Djafari-Rouhani, Leonard Dobrzynski, M. Hammouchi, E. El Boudouti, A. Nougaoui, B. Kharbouch

Physical Review B, 2001, 63 (3), pp.035312. ⟨10.1103/PhysRevB.63.035312⟩. ⟨hal-04069647⟩

  • Article dans une revue

AlGaN/GaN based MOSHFETs with Different Gate Dielectrics and Treatments

D. Mistele, Zahia Bougrioua, T. Rotter, I. Moerman, K.S. Röver, M. Seyboth, V. Schwegler, J. Stemmer, F. Fedler, H. Klausing, O.K. Semchinova, J. Aderhold, J. Graul

AlGaN/GaN based hetero field effect transistors (HFETs) were capped with different dielectrics, characterized, and tested for DC performance. As dielectrics we use SiO2 and photoelectrochemical (PEC) grown AlxGa2-xO3. Combination of this two dielectrics show best performance with respect to gate…

MRS Online Proceedings Library, 2001, 693, ⟨10.1557/PROC-693-I6.51.1⟩. ⟨hal-02906500⟩

  • Communication dans un congrès

Underwater flat-panel transducer array

R.E. Newhham, S. Alkoy, Anne-Christine Hladky, W.J. Hughes, D.C. Markley, R.J. Meyer, J. Zhang

2001, pp.1529-1535. ⟨hal-00151687⟩