Publications

• Article dans une revue

New 434 MHz interstitial hyperthermia system monitored by radiometry : theoretical studies and experimental results

J.C. Camart, D. Despretz, B. Prevost, J.P. Sozanski, M. Chive, J. Pribetich

International Journal of Hyperthermia, 2000, 16, pp.95-111. ⟨hal-00158149⟩

• Communication dans un congrès

Etude expérimentale de l'inversion thermique en radiométrie micro-onde par corrélation : applications médicales

S. Bri, L. Bellarbi, M. Elkadiri, L. Zenkour, M. Habibi, A. Mamouni

6èmes Journées Caractérisation Microonde et Matériaux, JCMM 2000, 2000, Paris, France. ⟨hal-00158164⟩

• Article dans une revue

Low-voltage, 30 nm channel length, organic transistors with a self-assembled monolayer as gate insulating films

J. Collet, O. Tharaud, A. Chapoton, D. Vuillaume

Applied Physics Letters, 2000, 76, pp.1941-1943. ⟨hal-00158477⟩

• Communication dans un congrès

Electrical characterization of liquid crystals with microstrip-line device for microwave applications

Bertrand Splingart, Nicolas Tentillier, Fabrice Huret, Jean-Claude Carru, Christian Legrand, P. Kennis

In this communication, a microstrip line cell method for dielectric spectroscopy is described (Fig. 2).The cell and an electromagnetic simulation software allow us to study the dielectric dispersion and absorption spectra for both components of the dielectric permittivity tensor of uniaxial systems…

Progress in Electromagnetics Research Symposium - PIERS 2000, Jul 2000, Cambridge, MA, United States. ⟨hal-00158494⟩

• Article dans une revue

Evidence of polariton stimulation in semiconductor microcavities

F. Boeuf, R. Andre, R. Romestain, S.L. Dang, Emmanuel Peronne, Jean-Francois Lampin, D. Hulin, Antigoni Alexandrou

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2000, 62 (4), pp.R2279(R). ⟨hal-00158233⟩

• Communication dans un congrès

Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs

Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger

10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany. ⟨hal-00159034⟩

• Communication dans un congrès

Deep traps related effects in GaN MESFET's grown on saphire substrate

A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, B. Boudart, Christophe Gaquière

10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany. ⟨hal-00159037⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières GaAs, InP et GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence

B. Boudart

2000. ⟨hal-00159048⟩

• Communication dans un congrès

Les alliages à mémoire de forme dans les microsystèmes

I. Roch, L. Buchaillot, O. Millet, H. Bennayyad

Actes des Troisièmes Journées du Pôle Micro-Robotique, 2000, Cachan, France. ⟨hal-00158523⟩

• Communication dans un congrès

Nouveau microcapteur de rayonnement ultraviolet à absorption différentielle

Katir Ziouche, Mohamed Boutchich, D. Loridant-Bernard, Pascale Godts, Didier Leclercq

Journées Micro et Nano Technologies, 2000, Paris, France. ⟨hal-00158491⟩