Publications

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  • Communication dans un congrès

Développement de vitrocéramiques polaires comme substrats piézoélectriques pour des capteurs SAW pour du monitoring à haute température

Oussama Zwein, Maurice Gonon, Marc Duquennoy

GFC 18, Mar 2025, Orléans, France. ⟨hal-05063476⟩

  • Article dans une revue

Electroluminescence and energy transfer mediated by hyperbolic polaritons

Loubnan Abou-Hamdan, Aurélien Schmitt, Rémi Bretel, Sylvio Rossetti, Marin Tharrault, David Mele, Aurélie Pierret, Michael Rosticher, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Camille Maestre, Catherine Journet, Bérangère Toury, Vincent Garnier, Philippe Steyer, James Edgar, Eli Janzen, Jean-Marc Berroir, Gwendal Fève, Gerbold Ménard, Bernard Plaçais, Christophe Voisin, Jean-Paul Hugonin, Elise Bailly, Benjamin Vest, Jean-Jacques Greffet, Patrick Bouchon, Yannick De Wilde, Emmanuel Baudin

Under high electrical current, some materials can emit electromagnetic radiation beyond incandescence. This phenomenon, referred to as electroluminescence, leads to the efficient emission of visible photons and is the basis of domestic lighting devices (for example, light-emitting diodes)1,2. In…

Nature, 2025, 639 (8056), pp.909-914. ⟨10.1038/s41586-025-08627-6⟩. ⟨hal-05014291⟩

  • Communication dans un congrès

Structured Opto-THz coherent sources based on III-V semiconductor laser technology

Arnaud Garnache, Isabelle Sagnes, M. Giudici, Philippe Lalanne, Guillaume Ducournau, Mona Jarrahi

Freiburg Infrared Colloquium 2025, IAF, Mar 2025, Friburg, Germany. ⟨hal-05546178⟩

  • Poster de conférence

Electrical eFFects on InterfaCiAl thermal resistance (EFICACE)

Nicolas Horny, J.F. Robillard, Séverine Gomés, Pierre-Olivier Chapuis, Samy Merabia, Quentin Pompidou, Juan Carlos Acosta Abanto, Michaël de San Feliciano, Louis Giraudet, Mélanie Brouillard, Christophe Adessi, Nicolas Bercu, Mihai Chirtoc

C’Nano 2025: The Nanoscience Meeting, Mar 2025, Paris, France. ⟨hal-05407267⟩

  • Brevet

Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime, Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence

Emmanuel Dubois, Alain Fleury, Daniel Gheysens, Stéphane Monfray

France, Patent n° : FR3152913 (A1) 2025-03-14. flagship_devices. 2025, Numéro(s) de priorité: FR20230009552 20230911 - Numéro de demande: FR20230009552 20230911. ⟨hal-04249470⟩