Publications

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  • Article dans une revue

Tuned Y-shaped Electromagnetic Switch for Directional Signal Control in Photonic Circuits

Imane Chaker, Ilham El-Atmani, Fatima-Zahra Berahioui, Younes Errouas, Amina Ghadban, Farid Falyouni, Khalid Laabidi, Driss Bria, Yan Pennec

Progress In Electromagnetics Research M, 2025, 133, pp.91-102. ⟨10.2528/PIERM25042102⟩. ⟨hal-05215085⟩

  • Communication dans un congrès

Caractérisation de l'électro-adhésion par Ultrasons-Laser

Mustapha Baher, Meriem Chrifi Alaoui, Frédéric Jenot, Mohammadi Ouaftouh, Marc Duquennoy

L’adhésion entre un revêtement et son substrat est un phénomène important qu’il est nécessaire de caractériser pour améliorer la fiabilité des structures dans différents domaines tels que celui de la microélectronique. Dans ce travail, un processus d'électroadhésion est étudié par Ultrasons-…

CFA 2025 - 17e Congrès Français d'Acoustique, Société Française d'Acoustique (SFA), Apr 2025, Paris, France. ⟨hal-05365888⟩

  • Chapitre d'ouvrage

Lagrange’s Method and Lagrangian’s Mechanism in Maxwell’s A Treatise on Electricity and Magnetism (1873)

Raffaele Pisano, Donatella Marmottini, Andrea Durlo

James Clerk Maxwell advanced Electromagnetic theory, while also mathematically enlarging Michael Faraday’s works. He declined Newtonian mechanics for the formulation of new conceptual frameworks because more adequate for describing a field of new phenomena such as electromagnetism; so he also went…

A History of Physics: Phenomena, Ideas and Mechanisms, 42, Springer International Publishing, pp.185-263, 2025, History of Mechanism and Machine Science, ⟨10.1007/978-3-031-26174-9_13⟩. ⟨hal-04751170⟩

  • Article dans une revue

ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications

Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, Nicolas Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq

ScAlN is a promising barrier material for next generation RF high electron mobility transistors, outperforming AlGaN thanks a higher 2-dimensional electron gas (2DEG) density and a thinner barrier with a lower lattice mismatch with GaN. A sub-10 nm barrier ScAlN/GaN heterostructure, grown by…

Applied Physics Express, 2025, 18 (4), pp.046501. ⟨10.35848/1882-0786/adc5db⟩. ⟨hal-05008937⟩