Publications

• Article dans une revue

Thermoelectric infrared microsensors based on a periodically suspended thermopile integrating nanostructured Ge/SiGe quantum dots superlattice

Katir Ziouche, G. Savelli, Zahia Bougrioua, D. Hauser, P. Lejeune, P.M. Michon, Tuami Lasri, Didier Leclercq

This paper presents an original integration of polycrystalline SiGe-based quantum dots superlattices (QDSL) into Thermoelectric (TE) planar infrared microsensors (μSIR) fabricated using a CMOS technology. The nanostructuration in QDSL results into a considerably reduced thermal conductivity by a…

Journal of Applied Physics, 2014, 116 (4), 043701, 7 p. ⟨10.1063/1.4891020⟩. ⟨hal-01055042⟩

• Communication dans un congrès

Scanning tunneling microscopy and angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of graphene on SiC (C-face) substrate grown by Si flux-assisted molecular beam epitaxy

I. Razado-Colambo, J.P. Nys, X. Wallart, S. Godey, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud

4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France. 2 p. ⟨hal-00962361⟩

• Article dans une revue

A study on effect of wafer bow in wafer-level BCB cap transfer packaging

Seonho Seok, Janggil Kim

This paper investigates the effects of wafer bow of Si carrier wafer to achieve high-yield BCB cap transfer in wafer-scale packaging. BCB caps are built-up on Si carrier wafer and then they are bonded and transferred to a target wafer. The height of BCB cap is 25 lm and the thickness of Si carrier…

Microsystem Technologies, 2014, 20, pp.215-219. ⟨10.1007/s00542-013-1780-5⟩. ⟨hal-00939051⟩

• Article dans une revue

Ingénierie des matériaux artificiels électromagnétiques : cristaux photoniques et métamatériaux

D. Lippens

Le développement des techniques de micro-structuration des matériaux diélectriques et des composés métalliques permet actuellement un contrôle sans précédent de l'interaction des ondes électromagnétiques avec les matériaux artificiels. Nous illustrons ici l'ingénierie de telles structures…

Photoniques, 2014, 69, pp.31-34. ⟨10.1051/photon/20146931⟩. ⟨hal-00954473⟩

• Article dans une revue

Gold-free ternary III-V antimonide nanowire arrays on silicon : twin-free down to the first bilayer

Sònia Conesa-Boj, Dominik Kriegner, Xiang-Lei Han, S.R. Plissard, Xavier Wallart, Julian Stangl, Anna Fontcuberta I Morral, Philippe Caroff

With the continued maturation of III-V nanowire research, expectations of material quality should be concomitantly raised. Ideally, III-V nanowires integrated on silicon should be entirely free of extended planar defects such as twins, stacking faults, or polytypism, position-controlled for…

Nano Letters, 2014, 14, pp.326-332. ⟨10.1021/nl404085a⟩. ⟨hal-00926662⟩

• Communication dans un congrès

Activités de recherche en ultrasons du groupe TPIA de l'IEMN-DOAE

Marc Duquennoy

Workshop " Techniques Vibrométrie Laser : Focus Ultrasons et 3D ", 2014, Cergy-Pontoise, France. ⟨hal-00978292⟩

• Communication dans un congrès

Gap d'hybridation dans un cristal phononique 1D constitué de matériaux piézoélectriques

Sid Ali Mansoura, Bruno Morvan, Pierre Maréchal, Jerome O. Vasseur, Anne-Christine Hladky, Bertrand Dubus

12ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2014, 2014, Poitiers, France. pp.Session APUS1 : Acoustique Ultrasonore, CFA2014/71, 1256-1261. ⟨hal-00978389⟩

• Communication dans un congrès

Transformation du son par un cristal phononique

Nicolas Côté, Jerome O. Vasseur, Q. Souron, Anne-Christine Hladky

12ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2014, 2014, Poitiers, France. Session APUS1 : Acoustique Ultrasonore, papier CFA2014/350, 1218-1223. ⟨hal-00978394⟩

• Communication dans un congrès

Development of an industrial process for the fabrication of high efficiency N-type pert cells

T. Blévin, B. Grange, R. Cabal, Jean-Pierre Vilcot

5th Photovoltaic Technical Conference 'Thin Film and Advanced Silicon Solutions', PVTC 2014, 2014, Aix-en-Provence, France. ⟨hal-00989528⟩

• Article dans une revue

Threshold voltage study of scaled self-aligned In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor field effect transistor for different source/drain doping concentrations

A. Dehzangi, M.F. Mohd Razip Wee, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, M.R. Buyong, B.Y. Majlis

A multi-gate n-type In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor field effect transistor is fabricated using the gate first self-aligned method and air-bridge technology with an 8 nm thick Al2O3 oxide layer. By scaling the gate length down to 200 nm, the effect of two different source/drain doping…

Micro and Nano Letters, 2014, 9, pp.180-183. ⟨10.1049/mnl.2014.0007⟩. ⟨hal-00969127⟩