Publications

• Communication dans un congrès

Mesure non linéaire dédiée aux amplificateurs de puissance radar excités par un train de pulses non périodique avec un NVNA basé sur des mélangeurs

Vincent Bridier, Damien Ducatteau, Hans-Joachim Simon, François Graux, Gilles Dambrine

Une mesure de forme d'onde temporelle en mode pulsé non périodique mais répétitif a été réalisée en utilisant un NVNA commercial basé sur des mélangeurs en mode périodique. Puis pour la première fois, un NVNA 20GHz six ports basé sur des mélangeurs a été modifié afin de mesurer trois…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018367⟩

• Communication dans un congrès

Contrôle de la porosité dans des films d'or pour des micro-supercondensateurs

Aymeric Pastre, K. Raulin, Alexandre Boé, Nathalie Rolland, Odile Cristini, R. Bernard

Cet article présente un matériau d'électrode original pour les micro-supercondensateurs basé sur un film mince d'or poreux. Le procédé de fabrication implique le dépôt d'or par un procédé de chimie en solution. L'utilisation de polymères comme templates nous permet de générer…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018420⟩

• Communication dans un congrès

Lignes de transmission imprimées pour les applications RF jusqu'à 67 GHz

Mohamed Moez Belhaj, Wei Wei, Emiliano Pallecchi, Colin Mismer, Isabelle Roch-Jeune, Henri Happy

Cette lettre présente la caractérisation radiofréquence (RF) des guides d'ondes coplanaires (CPW) imprimées avec et sans déformation. Le PET et le Kapton sont choisis comme substrats souples avec des températures de frittage différentes. Avec les paramètres d'impression à jet d'encre…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, May 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018390⟩

• Article dans une revue

A study on effect of wafer bow in wafer-level BCB cap transfer packaging

Seonho Seok, Janggil Kim

This paper investigates the effects of wafer bow of Si carrier wafer to achieve high-yield BCB cap transfer in wafer-scale packaging. BCB caps are built-up on Si carrier wafer and then they are bonded and transferred to a target wafer. The height of BCB cap is 25 lm and the thickness of Si carrier…

Microsystem Technologies, 2014, 20, pp.215-219. ⟨10.1007/s00542-013-1780-5⟩. ⟨hal-00939051⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation électrique d'une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW

Adrien Cutivet, A. Thevenot, A. Chakroun, N. Defrance, H. Maher, F. Boone

L'étude présentée a pour objectif la détermination des propriétés électriques d'un échantillon par la caractérisation de lignes de transmissions coplanaires (CPW) de dimensions et de nature différentes. La structure étudiée est une structure Métal Isolant Semiconducteur (MIS) pour…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020312⟩

• Article dans une revue

Extra-low parasitic gate-to-contacts capacitance architecture for sub-14 nm transistor nodes

Heimanu Niebojewski, Cyrille Le Royer, Y. Morand, Olivier Rozeau, Marie-Anne Jaud, Emmanuel Dubois, Thierry Poiroux, D. Bensahel

We investigate in this work an original contact architecture to address 64 nm pitch transistor technology. This architecture, studied here in the fully-depleted silicon-on insulator (FDSOI) flavour, remains suitable for planar and 3D (trigate, FinFET) approaches. It includes a recessed gate-first…

Solid-State Electronics, 2014, 97, pp.45-51. ⟨10.1016/j.sse.2014.04.028⟩. ⟨hal-01000014⟩

• Article dans une revue

Threshold voltage study of scaled self-aligned In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor field effect transistor for different source/drain doping concentrations

A. Dehzangi, M.F. Mohd Razip Wee, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, M.R. Buyong, B.Y. Majlis

A multi-gate n-type In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor field effect transistor is fabricated using the gate first self-aligned method and air-bridge technology with an 8 nm thick Al2O3 oxide layer. By scaling the gate length down to 200 nm, the effect of two different source/drain doping…

Micro and Nano Letters, 2014, 9, pp.180-183. ⟨10.1049/mnl.2014.0007⟩. ⟨hal-00969127⟩

• Communication dans un congrès

[Invited] Cell based assay for pathogen infectivity detection

Vincent Senez

12th NAMIS Workshop "Advanced materials and technologies for nano and micro systems", 2014, Ha Long City, Quang Ninh Province, Vietnam. ⟨hal-00994827⟩

• Communication dans un congrès

Development of an industrial process for the fabrication of high efficiency N-type pert cells

T. Blévin, B. Grange, R. Cabal, Jean-Pierre Vilcot

5th Photovoltaic Technical Conference 'Thin Film and Advanced Silicon Solutions', PVTC 2014, 2014, Aix-en-Provence, France. ⟨hal-00989528⟩

• Communication dans un congrès

Atomic switch : fonctionnalités synaptiques et stratégies d'intégration

Selina La Barbera, David Guérin, Dominique Vuillaume, F. Alibart

Journées NeuroSTIC 2014, 2014, Cergy-Pontoise, France. ⟨hal-01055039⟩