Publications

• Communication dans un congrès

Polyaniline-carbon nanotubes composites - Based patch antenna

Z. Hamouda, J.-L. Wojkiewicz, A.A. Pud, B. Belaabed, S. Bergheul, T. Lasri

This paper presents the simulation and realization of a patch antenna made of composites based on Polyaniline (PANI) and carbon nanotubes (CNT). The antenna is designed to work at the frequency of 4.5 GHz; the dielectric substrates used is Rogers RT/duroid 5870 which has a dielectric permittivity…

8th European Conference on Antennas and Propagation, EuCAP 2014, Apr 2014, The Hague, Netherlands. pp.2197-2200, ⟨10.1109/EuCAP.2014.6902246⟩. ⟨hal-03538366⟩

• Communication dans un congrès

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Communication dans un congrès

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• Communication dans un congrès

Near-field microscopy : from MIR to THz

Gabriel Moreno, Antoine Pagies, Damien Ducatteau, Nicolas Clément, Tahsin Akalin, Mathias Vanwolleghem, Jean-Francois Lampin

joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. 2 p. ⟨hal-01015277⟩

• Communication dans un congrès

Ferroelectric thin films working at microwave frequency for reconfigurable devices on silicon substrate: performances comparison between BST, PST

Freddy Ponchel, Denis Remiens, Areski Ghalem, Tuami Lasri

4th International Meeting on Dielectric Materials, May 2013, Marrakech, Morocco. ⟨hal-03659197⟩

• Communication dans un congrès

Conception d'un filtre accordable à partir de films minces ferroélectriques

Areski Ghalem, Freddy Ponchel, Denis Remiens, Tuami Lasri

Au sein de cet article, un filtre agile en fréquence utilisant des capacités ferroélectriques a été réalisé. Les capacités interdigitées (IDC) sont réalisées à partir de films minces ferroélectrique de titanate de baryum et de strontium (BST). Après la caractérisation hyperfréquence des capacités,…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020470⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium

Léon-Thierry Okala, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Jean-Claude de Jaeger

Cet article présente un procédé de fabrication de transistors HEMTs InAlN/GaN et AlGaN/GaN, en lithographie optique, sur substrat Si(111). Les mesures de Hall et TLM ont permis d'évaluer la résistance de contact, la résistance carrée, la mobilité et la densité de porteurs. La caractérisation…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020314⟩

• Communication dans un congrès

Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4-ports

Yogadissen Andee, Jérôme Prouvée, François Graux, Francois Danneville

Ce papier présente une nouvelle méthode pour la mesure du facteur de bruit différentiel. Cette approche consiste à mesurer les paramètres S et les puissances de bruit en sortie du circuit différentiel directement sur un analyseur de réseau 4-ports. Elle ne nécessite aucun coupleur qui compliquerait…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018395⟩

• Communication dans un congrès

[Invited] 3D substrates for improved performance of Li-ion microbatteries

Etienne Eustache, Olivier Crosnier, Pascal Tilmant, Laurence Morgenroth, Pascal Roussel, Nathalie Rolland, Christophe Lethien, Thierry Brousse

10th Japan-France Joint Seminar on Battery, 2014, Hakone, Japan. ⟨hal-01044691⟩