Publicaciones

• Communication dans un congrès

Modélisation de bruit pour des MOSFETs SOI 0,25 microns totalement désertés

G. Pailloncy, B. Iniguez, J.P. Raskin, Gilles Dambrine, Francois Danneville

2003, pp.6A-3. ⟨hal-00146010⟩

• Communication dans un congrès

Lignes coplanaires hautes impédances, influence d'une couche diélectrique

Yannick Roelens, J.S. Galloo, E. Pichonat, S. Bollaert, G. Six, A. Cappy, S. Huynen, L. Berdnarz, J. Mateos

Optique Hertzienne et Diélectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France. ⟨hal-00146017⟩

• Article dans une revue

Ultrasonic monitoring of sol-gel transition of natural hydrocolloids

Malika Toubal, Bertrand Nongaillard, Edouard Radziszewski, P. Boulenguer, V. Langendorf

Journal of Food Engineering, 2003, 58, pp.1-4. ⟨hal-00149904⟩

• Autre publication scientifique

Optimisation de la qualité vidéo MPEG-2 en transmission ADSL. Etude d'un transcodage vidéo hiérarchique

J. Fauquet

2003. ⟨hal-00146714⟩

• Communication dans un congrès

Gallium nitride activity at TIGER

S. Delage, C. Brylinski, Jean-Claude de Jaeger

CEPA2 Microelectronics Workshop, 2003, Gothenburg, Sweden. ⟨hal-00146713⟩

• Article dans une revue

PZT films deposited by a hydrothermal method and characterizations

S. Euphrasie, S. Daviero-Minaud, Philippe Pernod

Materials Science and Engineering: B, 2003, 104, pp.180-184. ⟨hal-00146129⟩

• Article dans une revue

A post-processor for reducing temporal busyness in low-bit-rate applications

François-Xavier Coudoux, Marc G. Gazalet, Patrick Corlay

Signal Processing: Image Communication, 2003, 18, pp.455-463. ⟨hal-00146716⟩

• Communication dans un congrès

Micro-pompe à actuation thermique appliquée à la microfluidique

Julien Carlier, F. Caron, S. Arscott, J.C. Fourrier, V. Thomy, C. Druon, P. Tabourier, J.C. Camart

2003, pp.943-948. ⟨hal-00146382⟩

• Communication dans un congrès

Performance of Pt-based low Schottky barrier silicide contacts on weakly doped silicon

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, X. Wallart

2003, pp.D791-D796. ⟨hal-00146405⟩

• Communication dans un congrès

Transmission electron microscopy analysis of silicides used in ALSB-SOI MOSFET structures

J. Katcki, J. Ratajczak, A. Laszcz, F. Phillipp, Emmanuel Dubois, Guilhem Larrieu, Julien Penaud, Xavier Baie

In Accumulated Low Schottky Barrier metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET) on SOl structures, very thin silicide layers are used for ohmic contacts. Silicide contacts form due to metallurgical reaction of metal with semiconductor. In order to get a broad vision of the most...

Conference on Microscopy of Semiconducting Materials, Mar 2003, Cambridge, United Kingdom. pp.479-482, ⟨10.1201/9781351074636-110⟩. ⟨hal-00250182⟩