Publicaciones

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  • Autre publication scientifique

Conception d'un système de communication ultra large bande appliqué aux transports

F. El Bahhar

2003. ⟨hal-00162742⟩

  • Communication dans un congrès

Oscillateur microondes en technologie CMOS/SOI : étude grand signal des dispositifs et performances des circuits

B. Parvais, A. Siligaris, A. Cerdeire, D. Schreurs, Francois Danneville, Gilles Dambrine, J.P. Raskin

2003, pp.5B-5. ⟨hal-00146014⟩

  • Communication dans un congrès

High frequency noise in FD SOI MOSFETs : a Monte Carlo investigation

R. Rengel, J. Mateos, D. Pardo, T. Gonzales, M.J. Martin, Gilles Dambrine, Francois Danneville, J.P. Raskin

2003, pp.379-386. ⟨hal-00145997⟩

  • Communication dans un congrès

Rayonnement de sources sismiques directionnelles enfouies dans un demi-espace élastique

Madjid Berraki, Bertrand Dubus, Axelle Baroni

VIIIèmes Journées d'Acoustique Physique, Sous-marine et Ultrasonore, JAPSUS, 2003, Cargèse, France. ⟨hal-00145968⟩

  • Communication dans un congrès

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures

B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Yannick Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marianne Germain, Ingrid Moerman

13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France. ⟨hal-01654259⟩

  • Communication dans un congrès

Caractérisation d'objets enfouis - Estimation du coefficient de réflexion

Latifa Achrait-Furlan, T. Lasri, Ahmed Mamouni

Actes de TELECOM 03 et 3èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, JFMMA 2003, 2003, Marrakech, Maroc. pp.1D-20. ⟨hal-00146066⟩

  • Communication dans un congrès

Conception de dispositifs passifs planaires en bande W

G. Prigent, E. Rius, François Le Pennec, S. Le Maguer, Cédric Quendo, G. Six, H. Happy, Gilles Dambrine

GDR Ondes, 2003, Marseille, France. ⟨hal-00250174⟩

  • Communication dans un congrès

Transmission electron microscopy analysis of silicides used in ALSB-SOI MOSFET structures

J. Katcki, J. Ratajczak, A. Laszcz, F. Phillipp, Emmanuel Dubois, Guilhem Larrieu, Julien Penaud, Xavier Baie

In Accumulated Low Schottky Barrier metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET) on SOl structures, very thin silicide layers are used for ohmic contacts. Silicide contacts form due to metallurgical reaction of metal with semiconductor. In order to get a broad vision of the most...

Conference on Microscopy of Semiconducting Materials, Mar 2003, Cambridge, United Kingdom. pp.479-482, ⟨10.1201/9781351074636-110⟩. ⟨hal-00250182⟩