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  • Communication dans un congrès

Study of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on n-GaN for high temperature applications

S. Trassaert, B. Boudart, Xavier Wallart, Didier Theron, Y. Crosnier

8th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1998, Cardiff, United Kingdom. ⟨hal-01654296⟩

  • Communication dans un congrès

Optimization of GaAs/Al0.22Ga0.78As HFET gate recess for the realization of linear power amplifier

X. Hue, B. Boudart, Y. Crosnier

8th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1998, Cardiff, United Kingdom. ⟨hal-01654297⟩

  • Communication dans un congrès

Simulation globale du fonctionnement à 94 GHz d'un oscillateur ATT pulsé, basée sur le couplage de modèles physique, électrique, thermique et électromagnétique

Christophe Dalle, Stéphane Beaussart, Marie-Renée Friscourt

Workshop MTT, chapitre français, 1998, La Rochelle, France. ⟨hal-00005310⟩

  • Article dans une revue

Micromachining techniques at terahertz frequencies

S. Arscott, R.E. Miles, S.J. Milne

IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems, 1998, 145 (5), pp.335. ⟨10.1117/12.361055⟩. ⟨hal-02348103⟩

  • Article dans une revue

Triol sol-gel route for preparing PZT thin films

S. Arscott

Ceramic Transactions, 1998. ⟨hal-02348121⟩

  • Article dans une revue

An Accurate Dual-Gate HFET Nonlinear Model for Millimeter-Wave MMIC Design

Rachid Allam, Christophe Kolanowski, J. C. De Jaeger, Y. Crosnier

An accurate nonlinear model for dual-gate HFETs is presented in this paper. Because of the complexity of the global equivalent circuit, the dual-gate transistor is modeled as two single-gate devices in cascode configuration. A good agreement between the measured and simulated performance is...

International Journal of Microwave and Millimeter-Wave Computer-Aided Engineering, 1998, 1998 (4), pp.315--320. ⟨10.1002/(SICI)1099-047X(199807)8:43.0.CO;2-E⟩. ⟨hal-03360875⟩

  • Article dans une revue

Noise analysis of 0.1 mm gate MESFETs and HEMTs

Javier Mateos, Tomas Gonzalez, Daniel Pardo, Patrick Tadyszak, Francois Danneville, A. Cappy

Solid-State Electronics, 1998, 42 (1), pp.79-85. ⟨10.1016/S0038-1101(97)00196-2⟩. ⟨hal-03612836⟩

  • Communication dans un congrès

Etude du contact Ti/Al/Ni/Au sur GaN

S. Trassaert, B. Boudart, Xavier Wallart, J.C. Pesant, L Fugère, Didier Theron, Y. Crosnier

GDR Matériaux Grand Gap, 1998, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-01654461⟩