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  • Article dans une revue

100 Gbit/s and Beyond IEEE 802.15.3d Channelization Compatible THz Communications Enabled by a Broadband MUTC Photodiode

Ezgi Abacıoğlu, Abdu Subahan Mohammed, Jonas Tebart, Marcel Grzeslo, Tom Neerfeld, José Luis Fernández Estévez, Pascal Szriftgiser, Guillaume Ducournau, Andreas Stöhr

We present photonics-driven high data rate IEEE 802.15.3d compliant terahertz (THz) communication links operated at a center frequency of 280 GHz. We analyze wireless data transmission within selected single and dual channels of the IEEE 802.15.3d and assess the outcomes through additional back-to-...

IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 2025, 15 (3), pp.389 - 399. ⟨10.1109/TTHZ.2025.3541824⟩. ⟨hal-04963122⟩

  • Communication dans un congrès

PEPR ADICT: Fabrication of RF switches based on MoS$_2$ and WS$_2$

J. Fadel, S. Skrzypczak, Y. Bousbaa, L. Le Van-Jodin, M. Jamet, P. Trousset, B. Reig, B. Dlubak, P. Seneor, E. Carré, X. Wallart, E. Pallecchi, H. Happy

In the framework of the ADICT project, the partner IEMN-CARBON aims to produce components based on 2D materials [1-3], for targeted PEPR projects. The aim is to extract their electrical properties and propose applications for high-frequency analogue electronics. The first components to be explored...

Journées scientifiques du PEPR électronique, Mar 2025, Paris, France. ⟨hal-05010227⟩

  • Communication dans un congrès

Lentille de Luneburg pour les ondes de gravité

Svetlana Kuznetsova, Matteo Mazzotti, Vinicius Fonseca Dal Poggetto, Vincent Pagneux, Miguel Onorato, Marco Miniaci

Dans cet exposé, la focalisation des ondes de surface à l'aide d'une lentille de Luneburg composée de piliers immergés de hauteur uniforme est étudiée numériquement. La conception de cette lentille repose sur la dérivation et la résolution numérique des équations 3D du potentiel de...

CFA 2025 - 17e Congrès Français d'Acoustique, Société Française d'Acoustique (SFA), Apr 2025, Paris, France. ⟨hal-05366167⟩

  • Communication dans un congrès

Effect of High Temperature RF Stress on the Trapping Behavior of Carbon Doped AlN/GaN/AlGaN HEMTs

Lyes Ben-Hammou, François Grandpierron, Elodie Carneiro, Katir Harrouche, Etienne Okada, Gilles Patriarche, Farid Medjdoub

This study investigates the impact of short-term hightemperature operating life (HTOL) reliability testing on the trapping behavior and power performance of carbon-doped AlN/GaN/AlGaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs). HTOL stress can lead to significant degradation in key performance...

2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2025), Mar 2025, Monterey, CA, United States. ⟨10.1109/irps48204.2025.10983377⟩. ⟨hal-05344709⟩