Publications

• Communication dans un congrès

Tuning the Kohn anomaly in the phonon dispersion of graphene by interaction with the substrate

L. Wirtz, A. Allard

Ψk Conference : Ab initio calculations of processes in materials and (bio)molecules, 2010, Berlin, Germany. ⟨hal-00574427⟩

• Communication dans un congrès

Electronic structure of PbSe/CdSe core/shell nanocrystals revealed by scanning tunneling- and photo- electron spectroscopies

Justin Habinshuti, T.H. Nguyen, Y. Justo, O. Cristini, F. Bourne, J.J. Gallet, Z. Hens, S. Turrell, I. Vobornik, J. Fujii, J. Avila, B. Grandidier

Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2010, Mittelwihr, France. ⟨hal-00574395⟩

• Communication dans un congrès

Génération d'ondes de choc et focalisation à courte distance dans le champ de cavitation ultrasonore à basse fréquence

Bertrand Dubus, Christian Vanhille, Cleofé Campos-Pozuelo, Christian Granger

Dans les dispositifs d'ultrasons de puissance de type sonotrode utilisés en sonochimie ou génie des procédés, le champ de cavitation est engendré par une surface cylindrique (de diamètre comparable à &_lambda; longueur d'onde acoustique dans le liquide) vibrant à basse fréquence (…

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00538348⟩

• Communication dans un congrès

Scanning confocal Raman spectroscopy of individual silicon nanowires

V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, A.I. Klimovskaya, Y.N. Pedchenko, A.T. Voroschenko, D. Hourlier

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2010, Symposium J : Silicon-based nanophotonics, 2010, Strasbourg, France. ⟨hal-00591742⟩

• Communication dans un congrès

Efficient terahertz mixer from plasma wave downconversion in InGaAs HEMT

Laurent Chusseau, J. Torres, P. Nouvel, H. Marinchio, L. Varani, Jean-Francois Lampin, S. Bollaert, Yannick Roelens, D. Dolfi

OPTO, 2010, San Francisco, United States. pp.760816, ⟨10.1117/12.846874⟩. ⟨hal-02443155⟩

• Article dans une revue

High-speed programming of nanowire-gated carbon-nanotube memory devices

G. Agnus, A. Filoramo, S. Lenfant, D. Vuillaume, J.P. Bourgoin, Vincent Derycke

Small, 2010, 6, pp.2659-2663. ⟨10.1002/smll.201001293⟩. ⟨hal-00548969⟩

• Article dans une revue

The electrical and structural properties of n-type InAs nanowires grown from metal-organic precursors

C. Thelander, K.A. Dick, M.T. Borgström, L.E. Fröberg, P. Caroff, H.A. Nilsson, L. Samuelson

Nanotechnology, 2010, 21, pp.205703-1-9. ⟨10.1088/0957-4484/21/20/205703⟩. ⟨hal-00548956⟩

• Article dans une revue

A three-dimensional Monte Carlo model for the simulation of nanoelectronic devices

T. Sadi, Jean-Luc Thobel

We present a three-dimensional (3D) semi-classical ensemble Monte Carlo model newly developed to simulate a variety of nanoelectronic devices. The characteristics of the 3D model are compared with the widely used two-dimensional (2D) models. The advantages of our model, in terms of accuracy in…

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, 2010, 23, pp.200-214. ⟨10.1002/jnm.735⟩. ⟨hal-00549480⟩

• Article dans une revue

Optical response of resonator induced plasmon filters : nanometric diatomic structures

G.H. Cocoletzi, M.A. Palomino-Ovando, L. Dobrzynski, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj

Superlattices and Microstructures, 2010, 48, pp.380-387. ⟨10.1016/j.spmi.2010.07.011⟩. ⟨hal-00549441⟩

• Chapitre d'ouvrage

Molecular electronics based on self-assembled monolayers

D. Vuillaume

Narlikar A., Fu Y. Oxford handbook of nanoscience and nanotechnology. Applications, Oxford University Press, vol. III, chap. 9, pp. 312-342, 2010. ⟨hal-00575836⟩