Publications

• Article dans une revue

Optimization of SiNX:H films deposited by PECVD for reliability of electronic, microsystems and optical applications

E. Herth, Bernard Legrand, L. Buchaillot, N. Rolland, T. Lasri

Microelectronics Reliability, 2010, 50, pp.1103-1106. ⟨10.1016/j.microrel.2010.04.011⟩. ⟨hal-00549491⟩

• Article dans une revue

Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse

M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, H. Maaref

Physica B: Condensed Matter, 2010, 405, pp.2337-2339. ⟨10.1016/j.physb.2010.02.042⟩. ⟨hal-00549453⟩

• Article dans une revue

Perfectly (001)- and (111)-oriented (Ba,Sr)TiO3 thin films sputtered on Pt/TiOx/SiO2/Si without buffer layers

L.H. Yang, G.S. Wang, X.L. Dong, Denis Remiens

Journal of the American Ceramic Society, 2010, 93, pp.350-352. ⟨10.1111/j.1551-2916.2009.03427.x⟩. ⟨hal-00549519⟩

• Article dans une revue

Enhanced high data rate communication system using embedded cooperative radar for intelligent transports systems

Yassin El Hillali, C. Tatkeu, P. Deloof, Laila Sakkila, Atika Rivenq, Jean-Michel Rouvaen

Transportation Research Part C: Emerging Technologies, 2010, 18, pp.429-439. ⟨10.1016/j.trc.2009.05.013⟩. ⟨hal-00549912⟩

• Article dans une revue

LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications

M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, P. Kominou, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, Christophe Gaquière, M. Oualli, E. Chartier, E. Morvan, S. Delage

Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, 2010, 7, pp.1317-1324. ⟨10.1002/pssc.200983114⟩. ⟨hal-00549909⟩

• Communication dans un congrès

Electronic properties of the Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure

L. Desplanque, D. Vignaud, S. Godey, E. Cadio, P. Liu, H. Sellier, X. Wallart

22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan. ⟨hal-00573576⟩

• Communication dans un congrès

La formation pratique en nanotechnologie : l'approche mise en place par le GIP CNFM

Laurence Ressier, F. Marchi, H. Sellier, A. Bournel, A. Dazzi, S. Retailleau, F. Bendriaa, Virginie Hoel, H. Happy

8ème Colloque sur l'Enseignement des Technologies et des Sciences de l'Information et des Systèmes, CETSIS 2010, 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00574466⟩

• Brevet

Procédé de fabrication de transistors MOSFET complémentaires de type P et N, et dispositif électronique comprenant de tels transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif

Guilhem Larrieu, Emmanuel Dubois

• Communication dans un congrès

Slow-wave shielded coplanar striplines for UWB filtering applications

M. Abdelaziz, Florence Podevin, A. Safwat, Anne-Laure Franc, Emmanuel Pistono, N. Corrao, A. Vilcot, P. Ferrari

Slow-wave shielded coplanar striplines for UWB filtering applications, Dec 2009, New Delhi, India. ⟨hal-00602887⟩

• Thèse

Study of electronic properties of nanostructures by ultrahigh vacuum atomic force microscopy, Étude de propriétés électroniques de nanostructures par microscopie à force atomique sous ultra-vide

Lukasz Borowik

We study the electronic properties of nanostructures using atomic force microscopy in ultra-high vacuum environment. The first part of this work consists in the characterization of silicon nanowires grown by metal-catalyzed chemical vapour deposition on silicon substrates, using conducting atomic…, Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés électroniques de nanostructures par microscopie à force atomique (AFM) en ultra-vide. La première partie de ce travail a consisté à caractériser localement des nanofils de silicium par technique d'AFM conducteur. Les expériences de…

Physics [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2009. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00466670⟩