Publications

• Article dans une revue

Wavelength and beam launching effects on silica optical fiber in local area networks

H. Mrabet, Iyad Dayoub, R. Attia, W. Hamouda

Optics Communications, 2010, 283, pp.4234-4241. ⟨10.1016/j.optcom.2010.06.034⟩. ⟨hal-00549472⟩

• Article dans une revue

Injection-locking of terahertz quantum cascade lasers up to 35 GHz using RF amplitude modulation

P. Gellie, S. Barbieri, Jean-Francois Lampin, P. Filloux, C. Manquest, C. Sirtori, I. Sagnes, S.P. Khanna, E.H. Linfield, A.G. Davies, H. Beere, D. Ritchie

Optics Express, 2010, 18, pp.20799-20813. ⟨10.1364/OE.18.020799⟩. ⟨hal-00548733⟩

• Article dans une revue

Imperfection-sensitive ductility of aluminium thin films

M. Coulombier, A. Boé, C. Brugger, J.P. Raskin, T. Pardoen

Scripta Materialia, 2010, 62, pp.742-745. ⟨10.1016/j.scriptamat.2010.01.048⟩. ⟨hal-00548611⟩

• Article dans une revue

A 60 GHz power amplifier with 14.5 dBm saturation power and 25% peak PAE in CMOS 65 nm SOI

A. Siligaris, Y. Hamada, C. Mounet, C. Raynaud, B. Martineau, N. Deparis, N. Rolland, M. Fukaishi, P. Vincent

IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, 45, pp.1286-1294. ⟨10.1109/JSSC.2010.2049456⟩. ⟨hal-00548603⟩

• Article dans une revue

Diameter dependence of the wurtzite-zinc blende transition in InAs nanowires

J. Johansson, K.A. Dick, P. Caroff, M.E. Messing, J. Bolinsson, K. Deppert, L. Samuelson

Journal of Physical Chemistry C, 2010, 114, pp.3837-3842. ⟨10.1021/jp910821e⟩. ⟨hal-00548709⟩

• Article dans une revue

Optically power supplied Gbit/s wireless hotspot using 1.55 µm THz photomixer and heterodyne detection at 200 GHz

Guillaume Ducournau, P. Szriftgiser, Denis Bacquet, Alexandre Beck, Tahsin Akalin, Emilien Peytavit, Mohammed Zaknoune, Jean-Francois Lampin

A wireless transmission system with a remote-supplied hotspot is demonstrated working up to gigabit data rates. The emission uses a 200 GHz carrier frequency, generated using an 1.55 µm photomixer composed of an unitravelling carrier photodiode monolithically integrated with a wide bandwidth…

Electronics Letters, 2010, 46, pp.1349-1350. ⟨10.1049/el.2010.2062⟩. ⟨hal-00548731⟩

• Communication dans un congrès

Modélisation physique de l'oreille moyenne par schémas à constantes localisées et lignes de propagation

Elisabeth Delevoye, Christian Granger, Pascal Mosbah, Bertrand Dubus

Basés sur des analogies électromécaniques et électroacoustiques, les schémas à constantes localisés permettent une modélisation satisfaisante de l'oreille moyenne jusqu'à des fréquences de 6 à 8 kHz pour le chat et de 2 kHz pour l'homme. L'extension du modèle à des fréquences…

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00549203⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN HEMT on (111) single crystalline diamond

M. Alomari, A. Dussaigne, D. Martin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, E. Kohn

Electronics Letters, 2010, 46, pp.299-300. ⟨10.1049/el.2010.2937⟩. ⟨hal-00549443⟩

• Article dans une revue

0-3 and 1-3 piezo-composites based on single crystal PMN-PT for transducer applications

F. Levassort, Anne-Christine Hladky, H. Le Khanh, L.P. Tran-Huu-Hue, M. Lethiecq, M. Pham Thi

Advances in Applied Ceramics, 2010, 109, pp.162-168. ⟨10.1179/174367509X12472364601075⟩. ⟨hal-00549550⟩

• Article dans une revue

High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector

Malek Zegaoui, Z. Xu, N. Saadsaoud, Kianhuan Tan, Wan Khai Loke, Satrio Wicaksono, Soon Fatt Yoon, Christiane Legrand, Didier Decoster, Jean Chazelas

The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength over 1.3 μm is sandwiched by GaAs and AlGaAs cladding layers. The device…

IEEE Electron Device Letters, 2010, 31 (7), pp.704-706. ⟨10.1109/LED.2010.2049563⟩. ⟨hal-00549006⟩