Publications

• Article dans une revue

High frequency ultrasonic detection of C-crack defects in silicon nitride bearing balls

F. Deneuville, Marc Duquennoy, Mohammadi Ouaftouh, Mohamed Ourak, Frédéric Jenot, S. Desvaux

Ultrasonics, 2009, 49, pp.89-93. ⟨10.1016/j.ultras.2008.06.010⟩. ⟨hal-00473716⟩

• Article dans une revue

Use of the circuit approach to solve large EMC problems

S. Leman, B. Demoulin, O. Maurice, M. Cauterman, P. Hoffmann

Comptes Rendus. Physique, 2009, 10, pp.70-82. ⟨10.1016/j.crhy.2009.01.006⟩. ⟨hal-00473696⟩

• Article dans une revue

(6 x 2) Reconstruction of the Ag/Si(111) surface at 77 K (vol 603, pg 311, 2009) - Corrigendum

A. Urbieta, K. Schulte, B. Grandidier, D. Deresmes, S.C. Erwin, D. Stievenard

Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 2009, 603, pp.1079-1079. ⟨10.1016/j.susc.2009.02.002⟩. ⟨hal-00473064⟩

• Communication dans un congrès

Spectroscopie terahertz d'un métamatériau gaucher constitué d'un empilement de réseaux métalliques sous longueur d'onde

Charles Croënne, F. Garet, Eric Lheurette, J.L. Coutaz, D. Lippens

16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.4E-4, 1-4. ⟨hal-00480413⟩

• Autre publication scientifique

Réalisation et caractérisation d'un laser DFB bi-mode pour applications radio sur fibre

Stéphane Ginestar

2009. ⟨hal-00572793⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la caractérisation et à la modélisation des canaux MIMO

Abdelmottaleb Nasr

2009. ⟨hal-00573106⟩

• Autre publication scientifique

Conception, fabrication et caractérisation de sources d'électronébulisation micro et nanofluidiques en technologie silicium

Cédric Descatoire

2009. ⟨hal-00572794⟩

• Article dans une revue

Molecular dynamics simulations of the solid phase epitaxy of Si : growth mechanism and orientation effects, simulations en dynamique moléculaire de l'épitaxie en phase solide du silicium: mécanismes de croissance et influence de l'orientation cristalline

E. Lampin, Christophe Krzeminski

The solid phase epitaxy of an amorphous layer on crystalline silicon is studied by means of molecular dynamics. Three stacks of 5120, 4928, and 5184 atoms respectively oriented along the [100], [110], and [111] directions are annealed with the Tersoff interatomic potential. The regrowth proceeds…

Journal of Applied Physics, 2009, 106, pp.063519. ⟨10.1063/1.3211972⟩. ⟨hal-00471990v2⟩

• Communication dans un congrès

Estimation séquentielle et conjointe du bruit de phase, de l'offset en fréquence et des symboles émis dans les systèmes OFDM

F. Septier, Y. Delignon, Atika Rivenq, C. Garnier

Atelier Traitement et Analyse de l'Information : Méthodes et Applications, TAIMA 2009, 2009, Hammamet, Tunisie. ⟨hal-00810741⟩

• Communication dans un congrès

Analyse du comportement HF d'une sous-station d'alimentation ferroviaire par homothétie physique et géométrique

H. Ouaddi, S. Baranowski, G. Nottet, B. Demoulin, L. Kone

TELECOM'2009 & 6èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2009, Maroc. pp.C1-2, 1-4. ⟨hal-00573505⟩