Publications

• Article dans une revue

Effect of a Se monolayer on interface properties between Al2O3 and n-type Si(100)

G. Larrieu, M. Tao, N. Moumen, E. Moldonado, W.P. Kirk, G. Song, W. Bai, D.L. Kwong

Transactions of the Electrochemical Society, 2006, 1, pp.371. ⟨hal-00138658⟩

• Communication dans un congrès

Iridium silicide : a promising electrode for metallic source/drain in decananometer MOSFETs

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, X. Wallart, J. Katcki

2006, pp.123. ⟨hal-00138682⟩

• Communication dans un congrès

Experimental analysis for non-linear time reversal acoustics (NLTRA) imaging of damaged materials

P.Y. Le Bas, K. van den Abeele, S. dos Santos, T. Goursolle, Olivier Bou Matar

2006, Th.4.6.3, 11p. ⟨hal-00138610⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la caractérisation des revêtements par inversion des réponses V(z)

L. Vandevoorde

2006. ⟨hal-00138940⟩

• Article dans une revue

Impact features on Stardust : implications for Comet 81P/Wild 2 dust

F. Hörz, Renaud Bastien, J. Borg, J.P. Bradley, J.C. Bridges, D.E. Brownlee, M.J. Burchell, M. Chi, M.J. Cintala, Z.R. Dai, Z. Djouadi, G. Dominguez, Et Al., David Troadec

Science, 2006, 314, pp.1716-1719. ⟨hal-00138909⟩

• Autre publication scientifique

Estimation des contraintes résiduelles dans le verre par méthode ultrasonore

D. Devos

2006. ⟨hal-00138938⟩

• Thèse

Utilisation des technologies CMOS SOI 130 nm pour des applications en gamme de fréquences millimétriques, 130 nm SOI CMOS technology for microwaves applications

Christophe Pavageau

La technologie CMOS SOI (« Silicon On Insulator ») a déjà montré son intérêt pour les circuits numériques par rapport à la technologie CMOS sur substrat massif (« bulk »). Avec l'entrée des technologies CMOS dans l'ère des dimensions nanométriques, les transistors atteignent des…, Silicon On Insulator (SOI) CMOS technology has already shown good performances for digital applications compared to bulk CMOS technology. At nanometer-scale, SOI CMOS transistors exhibit very high cut-off frequencies, enabling the design of millimeter-wave integrated circuits and therefore the…

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2005. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00011744v2⟩

• Communication dans un congrès

About the role played by the principles in the physics and mathematics by J.H. Poincaré

Raffaele Pisano

AIF Workshop Science & Teaching, 6th Dec., AIF Latina & GB Grassi Latina, Dec 2005, Latina, Italy. ⟨hal-04518908⟩

• Article dans une revue

Optimisation of the parameters of an extended defect model applied to non-amorphizing implants

E. Lampin, Fuccio Cristiano, Youness Lamrani, Damien Connétable

In this paper, we present the optimisation of the parameters of a physical model of the kinetics of extended defects and applied the model with the optimised parameters to non-amorphizing implants. The model describes the small clusters, the {113} defects and the dislocation loops. In the first…

Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, pp.397-400. ⟨10.1016/j.mseb.2005.08.032⟩. ⟨hal-03599806⟩

• Article dans une revue

Planar excitation of Goubau transmission lines for THz BioMEMS

A. Treizebre, Tahsin Akalin, Bertrand Bocquet

We propose and demonstrate an original planar excitation of a single wire transmission line also known as Goubau-Line (G-Line). The excitation is based on an electromagnetic transition between a coplanar waveguide and the desired G-line in a planar configuration. We present some characteristics for…

IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2005, 15 (12), pp.886-888. ⟨10.1109/LMWC.2005.859976⟩. ⟨hal-00147496⟩