Publications

• Communication dans un congrès

RF and noise properties of SOI MOSFETs, including the influence of a direct tunneling gate current

Francois Danneville, G. Pailloncy, Gilles Dambrine, B. Iniguez

2004, pp.103-110. ⟨hal-00154886⟩

• Article dans une revue

Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs

F. Rampazzo, G. Pierobon, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni

Microelectronics Reliability, 2004, 44, pp.1375-1380. ⟨hal-00154890⟩

• Communication dans un congrès

Microactuators and microstrip antenna for polarization diversity

L. Le Garec, I. Roch, Mohamed Himdi, R. Sauleau, O. Millet, L. Buchaillot

2004, pp.D16-D19. ⟨hal-00141027⟩

• Article dans une revue

Residual stress profiling of an aluminum alloy by laser ultrasonics

Y. Pan, M. Qian, Wei-Jiang Xu, Mohamed Ourak

Acta Acustica united with Acustica, 2004, 29, pp.254-257. ⟨hal-00162794⟩

• Autre publication scientifique

Optimisation d'une technique 3D pour la réalisation de circuits intégrés millimétriques sur substrat de silicium

G. Six

2004. ⟨hal-00162764⟩

• Autre publication scientifique

Etude des aspects électrothermiques de la filière HEMT AlGaN/GaN pour application de puissance hyperfréquence

Raphaël Aubry

2004. ⟨hal-00133927⟩

• Communication dans un congrès

Etude de l'interaction électron-électron dans les structures lasers à cascade quantique par la méthode de Monte Carlo

Olivier Bonno, Jean-Luc Thobel, François Dessenne

Journées Nationales Nanoélectronique, 2004, Aussois, France. ⟨hal-00133958⟩

• Communication dans un congrès

Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures

Jean-Sebastien Galloo, Emmanuelle Pichonat, Yannick Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, Javier Mateos, Tomás González, Hervé Boutry, Vincent Bayot, Lukasz Bednarz, Isabelle Huynen

We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic…

16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2004, Kagoshima, Japan. pp.378-381, ⟨10.1109/ICIPRM.2004.1442734⟩. ⟨hal-00133896⟩

• Communication dans un congrès

Composants balistiques

S. Bollaert

Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, 2004, La Grande Motte, France. ⟨hal-00133910⟩

• Communication dans un congrès

Microfluidique intégrée pour le couplage d'un microcanal à une interface nanoESI : application à la protéomique

Julien Carlier, S. Arscott, F. Caron, J.C. Fourrier, V. Thomy, J.C. Camart, C. Druon, P. Tabourier

Actes du 2ème Congrès Français de Microfluidique, 2004, Toulouse, France. ⟨hal-00142065⟩