Publications

• Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/…

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩

• Autre publication scientifique

Conception et réalisation technologique de commutateurs micro-électromécaniques en bande K pour antennes à réseaux déphasés

M. Fryziel

2004. ⟨hal-00162762⟩

• Communication dans un congrès

Ultrasonic cavitation in thin liquid layer

Bertrand Dubus, A. Moussatov, C. Campos-Pozuelo

2004, pp.923-924. ⟨hal-00142048⟩

• Communication dans un congrès

A multi-mode continuously-tunable lowpass filter for zero-IF mobile applications

D. Chamla, A. Kaiser, A. Cathelin, D. Belot

2004, pp.95-98. ⟨hal-00140982⟩

• Communication dans un congrès

Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory : the SASEM device

Christophe Krzeminski, Emmanuel Dubois, Xing Tang, N. Reckinger, A. Crahay, V. Bayot

2004, pp.45-50. ⟨hal-00140991⟩

• Proceedings/Recueil des communications

Il ciclo di S. Carnot e la Pila di Alessandro Volta (S. Carnot's cycle and Alessandro Volta's Battery)

Raffaele Pisano

• Communication dans un congrès

Variation d'indice et absorption obtenus par effet plasma dans les hétérostructures InGaAsP/InP : mesure à 1,3 et 1,55 µm

Malek Zegaoui, Joseph Harari, V. Magnin, Didier Decoster

10èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, JNMO 2004, Jun 2004, La Grande Motte, France. ⟨hal-00141216⟩

• Article dans une revue

Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN

B. Boudart, Y. Guhel, J. C. Pesant, P. Dhamelincourt, M. A. Poisson

Mg+ ions were implanted at room temperature in n-type hexagonal GaN for the device isolation purposes. The implantation dose varied from 7.5 × 1012 to 1016 ions cm−2. We performed resonance Raman spectroscopy and DC electrical measurements in order to monitor the structural and electrical changes…

Journal of Physics: Condensed Matter, 2003, 16 (2), pp.S49. ⟨10.1088/0953-8984/16/2/006⟩. ⟨hal-02936052⟩

• Thèse

Gravure par faisceau d'ions de films minces de titano-zirconate de plomp (PZT) : étude des dégradations engendrées et contribution à l'intégration aux microsystèmes, Ion beam etching of lead titanate-zirconate (PZT) thin films : study of damages induced and contribution to the integration in microsystems

Caroline Soyer

Ces travaux, relatifs à la gravure par faisceau d'ions de films minces de PZT, présentent un ensemble de résultats pouvant être scindés en deux parties. Tout d'abord, nous avons mené une étude originale dont le but est de tenter d'appréhender les mécanismes d'interactions entre…, First of all, we have carried out an original study of which the aim is to try to understand the mechanisms of interactions between an ion beam (reactive or not) and the PZT surface. We have underlined various degradations of material, as well microstructural as electrical. These damages evolve…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2003. Français. ⟨NNT : 2003VALE0038⟩. ⟨hal-00162746⟩

• Pré-publication, Document de travail

Dispersive charge transport along the surface of an insulating layer observed by Electrostatic Force Microscopy

J. S. Lambert, G. de Loubens, C. Guthmann, M. Saint-Jean, Thierry Melin

We report the observation in the direct space of the transport of a few thousand charges submitted to atunable electric field along the surface of a silicon oxide layer. Charges are both deposited and observedusing the same Electrostatic Force Microscope. During the time range accessible to our…

2003. ⟨hal-00000962⟩