Publications

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  • Communication dans un congrès

Protéomique intégrée

S. Arscott, S. Le Gac, C. Druon, P. Tabourier, C. Rolando

Journées Nationales du Réseau Micro et Nano Technologies, 2003, Lille, France. ⟨hal-00146396⟩

  • Communication dans un congrès

Coupling of atom-by-atom calculations of extended defects with B kick-out equations : application to the simulation of boron TED

E. Lampin, Fuccio Cristiano, Y. Lamrani, Bernard Colombeau

European Materials Research Society Spring Meeting, 2003, Strasbourg, France. ⟨hal-00146423⟩

  • Article dans une revue

A novel micromachined 2D nanoelectrospray emitter

S. Arscott, S. Le Gac, C. Druon, P. Tabourier, C. Rolando

Electronics Letters, 2003, 39, pp.1702-1703. ⟨hal-00146381⟩

  • Article dans une revue

Channel thickness dependence of breakdown dynamic in InP-based lattice-matched HEMTs

A. Sleiman, A. Di Carlo, P. Lugli, G. Meneghesso, E. Zanoni, Jean-Luc Thobel

IEEE Transactions on Electron Devices, 2003, 50, pp.2009-2014. ⟨hal-00146070⟩

  • Communication dans un congrès

Characterization of MIS tunnel junctions by IETS

G. Salace, C. Petit, D. Vuillaume

203rd Meeting of the Electrochemical Society, 2003, Paris, France. ⟨hal-00146170⟩

  • Article dans une revue

Low frequency emission by non-linear interaction of phase conjugate ultrasound waves

Y.U. Pylnov, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky

Acta Acustica united with Acustica, 2003, 89, pp.942-947. ⟨hal-00146130⟩

  • Communication dans un congrès

Transport électronique dans les systèmes moléculaires auto-assemblés, récents développements en électronique moléculaire

D. Vuillaume

10èmes Journées des Polymères Conducteurs, 2003, Dourdan, France. ⟨hal-00146384⟩

  • Article dans une revue

Compensation mechanisms in low-temperature-grown Ga1-xMnxAs investigated by scanning tunneling spectroscopy

Gauthier Mahieu, B. Grandidier, Jean-Philippe Nys, Guy Allan, Didier Stiévenard, Philipp Ebert, Yuji Higo, M. Tanaka

Applied Physics Letters, 2003, 82, pp.712-714. ⟨10.1063/1.1522821⟩. ⟨hal-00146589⟩

  • Article dans une revue

Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate

N. Vellas, Christophe Gaquière, A. Minko, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond

IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2003, 13, pp.255-257. ⟨hal-00146662⟩