Publications

• Communication dans un congrès

Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de composants HEMTs dans la filière nitrure de gallium

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, A. Minko, Virginie Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, Jean-Claude de Jaeger

3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Elements III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149733⟩

• Communication dans un congrès

Les transistors à effet de champ pour l'amplification de puissance microonde : état de l'art et perspectives

Jean-Claude de Jaeger

5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme, JMET 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149737⟩

• Communication dans un congrès

Charge transport in some molecular devices : self-assembled molecular rectifiers and DNA molecules

D. Vuillaume

6th Conference on Molecular-Scale Electronics, 2002, Key West, FL, United States. ⟨hal-00148708⟩

• Article dans une revue

Thermally assisted formation of silicon islands on a silicon-on-insulator substrate

Bernard Legrand, Vincent Agache, Jean-Philippe Nys, Thierry Melin, Vincent Senez, Didier Stiévenard

We report the self-formation of nanometer-size silicon islands on a silicon-on-insulator (SOI) substrate that is associated with simple thermal treatment in the range of 500–900 °C. We study the island formation process versus the temperature of the thermal annealing, the thickness of the top…

Journal of Applied Physics, 2002, 91, pp.106-111. ⟨10.1063/1.1420761⟩. ⟨hal-00149668⟩

• Communication dans un congrès

Diffusion d'un élement V à partir d'une surface d'un semiconducteur III-V, influence de la reconstruction et de la morphologie

C. Priester

Journées Surfaces et Interfaces, JSI 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149684⟩

• Article dans une revue

Interpretation and theory of tunneling experiments on single nanostructures

Yann-Michel Niquet, Christophe Delerue, Guy Allan, Michel Lannoo

We discuss the interpretation of tunneling experiments on single molecules or semiconductor quantum dots weakly coupled to metallic electrodes. We identify the main features in the current-voltage curves and in the conductance using an extension of the theory of single charge tunneling. We analyze…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 65, pp.165334/1-14. ⟨10.1103/PhysRevB.65.165334⟩. ⟨hal-00149663⟩

• Communication dans un congrès

Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology

M. Ardouin, B. Bonte, M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger

25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chernogolovka, Russia. ⟨hal-00149713⟩

• Communication dans un congrès

AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz

M. Zaknoune, X. Wallart, F Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States. ⟨hal-00149711⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation diélectrique en réflexion transmission de cristaux liquides en structure ligne plaquée

Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, Jerome O. Vasseur, Jean-François Legier, Erick Paleczny, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot, Arnaud Beaurain, Stefan Mc Murtry, L. Dobrzynski

Actes des 7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149649⟩

• Article dans une revue

Multiple parallel conduction paths observed in depth-profiled n-GaN epilayers

C. Mavroidis, J. Harris, R. Jackman, I. Harrison, B. Ansell, Z. Bougrioua, I. Moerman

We have combined plasma etching with the Hall effect and resistivity measurements between 10 and 300 K to study the depth distribution of conduction in silicon (Si)-doped GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates by two different metalorganic chemical vapor deposition processes. Reduction…

Journal of Applied Physics, 2002, 91 (12), pp.9835. ⟨10.1063/1.1477604⟩. ⟨hal-02906594⟩