Publications

• Communication dans un congrès

Diffusion d'un élement V à partir d'une surface d'un semiconducteur III-V, influence de la reconstruction et de la morphologie

C. Priester

Journées Surfaces et Interfaces, JSI 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149684⟩

• Communication dans un congrès

Grazing incidence diffraction anomalous fine structure of self-assembled semiconductor nanostructures

S. Grenier, A. Letoublon, M.G. Proietti, Hubert Renevier, L. Gonzalez, J.M. Garcia, C. Priester, J. Garcia

2002, pp.24-33. ⟨hal-00149685⟩

• Article dans une revue

Thermally assisted formation of silicon islands on a silicon-on-insulator substrate

Bernard Legrand, Vincent Agache, Jean-Philippe Nys, Thierry Melin, Vincent Senez, Didier Stiévenard

We report the self-formation of nanometer-size silicon islands on a silicon-on-insulator (SOI) substrate that is associated with simple thermal treatment in the range of 500–900 °C. We study the island formation process versus the temperature of the thermal annealing, the thickness of the top…

Journal of Applied Physics, 2002, 91, pp.106-111. ⟨10.1063/1.1420761⟩. ⟨hal-00149668⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication and characterization of laterally coupled lasers

S. Mc Murtry, Jean-Pierre Vilcot, F. Mollot, Didier Decoster

2002, pp.367-374. ⟨hal-00149638⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation diélectrique en réflexion transmission de cristaux liquides en structure ligne plaquée

Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani, Jerome O. Vasseur, Jean-François Legier, Erick Paleczny, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot, Arnaud Beaurain, Stefan Mc Murtry, L. Dobrzynski

Actes des 7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149649⟩

• Article dans une revue

Photodissociation of hydrogen passivated dopants in gallium arsenide

L. Tong, J.A. Larsson, M. Nolan, M. Murthag, J.C. Greer, M. Barbe, F. Bailly, Jérome Chevalier, S. Sylvestre, D. Loridant-Bernard, E. Constant, M. Constant

A theoretical and experimental study of the photo-dissociation mechanisms of hydrogen passivated n- and p-type dopants in gallium arsenide is presented. The photo-induced dissociation of the SiGa–H complex has been observed for relatively low photon energies (3.48 eV), whereas the photo-…

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2002, 186, pp.234-239. ⟨10.1016/S0168-583X(01)00949-1⟩. ⟨hal-00278930⟩

• Autre publication scientifique

Du modèle de canal de propagation à l'optimisation des systèmes de télécommunications

M. Lienard

2002. ⟨hal-00577049⟩

• Communication dans un congrès

High-frequency high-Q micro-mechanical resonators in thick epipoly technology with post-process gap adjustment

D. Galayko, A. Kaiser, Bernard Legrand, C. Combi, D. Collard, L. Buchaillot

2002, pp.665-668. ⟨hal-00148737⟩

• Communication dans un congrès

Luminescence de boites InAs obtenues par épitaxie par jets moléculaires sur des couches tampons métamorphiques InxAl1-xAs (0.33 = x = 0.52)

D. Vignaud, Y. Cordier, P. Miska, D. Ferre

Journée thématique Boites quantiques pour les télécommunications optiques, 2002, Rennes, France. ⟨hal-00148672⟩

• Communication dans un congrès

Mise en évidence des effets de pièges en régime dynamique grand signal (F = 4 GHz)

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, B. Boudart, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger

GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149720⟩