Publications

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  • Article dans une revue

Theory of electrical rectification in a molecular monolayer

Christophe Krzeminski, Christophe Delerue, Guy Allan, Dominique Vuillaume, Robert M Metzger

The current-voltage characteristics in Langmuir-Blodgett monolayers of γ-hexadecylquinolinium tricyanoquinodimethanide (C16H33Q−3CNQ) sandwiched between Al or Au electrodes is calculated, combining ab initio and self-consistent tight-binding techniques. The rectification current depends not only on…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2001, 64, 8, pp.085405. ⟨10.1103/PhysRevB.64.085405⟩. ⟨hal-00018578⟩

  • Communication dans un congrès

Auscultation de la peau du mortier par ondes ultrasonores

S. Ould Naffa, M. Goueygou, Bogdan Piwakowski, F. Buyle-Bodin

Journées Scientifiques ENDGC2 : Méthodes d'Évaluations Non Destructives pour le Génie Civil, 2001, Bordeaux, France. ⟨hal-00152112⟩

  • Communication dans un congrès

A 60 GHz high power composite channel GaInAs/InP HEMT on InP substrate with Lg=0.15 µm

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger

We have improved power performance by studying three different GaInAs/InP composite channel structures. Also, different gate to drain extension devices have been processed. By using composite channel devices, we benefit from the better ionization threshold energy of InP compared to GaInAs (1.69 eV…

Conference Proceedings. 2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 13th IPRM, May 2001, Nara, Japan. pp.196-199, ⟨10.1109/ICIPRM.2001.929091⟩. ⟨hal-00152622⟩

  • Article dans une revue

Formation and characterisation of c-BN thin films deposited by microwave PECVD

A. Soltani, P. Thevenin, A. Bath

Diamond and Related Materials, 2001, 10, pp.1369-1374. ⟨hal-00152598⟩

  • Communication dans un congrès

Mesures de champs électriques ultra-rapides dans les semiconducteurs

L. Desplanque, Jean-Francois Lampin, F. Mollot

Vèmes Journées des Phénomènes Ultra-Rapides, 2001, Col de Porte, France. ⟨hal-00152091⟩

  • Communication dans un congrès

NPR comparative study of MMICs and related pHEMT at 26 GHz

Pascal Delemotte, Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, Yves Crosnier, Sylvie Tranchant, Bernard Carnez

31st European Microwave Association, 2001, London, United Kingdom. pp.527-530. ⟨hal-00152623⟩

  • Article dans une revue

Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates

Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart

Electronics Letters, 2001, 37, pp.1095-1096. ⟨hal-00152620⟩

  • Communication dans un congrès

Les structures métamorphiques AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs : croissance et applications

Yvon Cordier, Mohammed Zaknoune, S. Bollaert, Mustafa Boudrissa, E. Lefebvre, Patrice Miska, Dominique Vignaud, Francis Mollot, A. Cappy, S. Trudel, D. Ferre, Ydir Androussi, J. Dipersio

20ème Séminaire National sur l'Epitaxie par Jets Moléculaires, EJM 2001, 2001, St Aygulf, France. ⟨hal-00152677⟩

  • Communication dans un congrès

Etude de gravure sèche en vue de réaliser un recess de grille de HEMTs sur GaN

Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152672⟩