Publications

• Chapitre d'ouvrage

Noise modeling and measurement techniques in deep submicron SOI devices

Francois Danneville, Gilles Dambrine

Balandin A. Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices, American Scientific Publishers, pp.355-365, 2002. ⟨hal-00577023⟩

• Chapitre d'ouvrage

Growth of PbTiO3/Pb[Zr,Ti]O-3 heterostructures by sputtering on Si substrate : influence of a buffer layer on the structural and electrical properties of Pb[Zr,Ti]O-3

Denis Remiens

Pandalai S.G. Crystal growth in thin solid films - Control of epitaxy, Research Signpost, Kerala, India, pp.71-86, 2002. ⟨hal-00577027⟩

• Communication dans un congrès

0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate

S. Bollaert, X. Wallart, Sylvie Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, B. Aspar, J. Mateos

2002, pp.101-105. ⟨hal-00152950⟩

• Article dans une revue

Experimental study of hot-electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs

D. Sicault, R. Teissier, F. Pardo, J.L. Pelouard, F. Mollot

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 65, 12, pp.121301. ⟨hal-00018482⟩

• Autre publication scientifique

Transport électronique dans l'ADN

T. Heim

2002. ⟨hal-00148694⟩

• Article dans une revue

Statics and dynamics in giant magnetostrictive TbxFe1-xFe0.6Co0.4 multilayers for MEMS

Jamal Ben Youssef, Nicolas Tiercelin, Fabienne Petit, Henri Le Gall, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

IEEE Transactions on Magnetics, 2002, 38, pp.2817-2819. ⟨hal-00148689⟩

• Communication dans un congrès

Large signal behaviour of gallium nitride based HEMT's devices

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard

25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chermogolovska, Russia. ⟨hal-00149730⟩

• Communication dans un congrès

Isolation de transistors dans la filière nitrure de gallium par implantation d'argon

Y. Guhel, J.C. Pesant, Jean-Claude de Jaeger, B. Boudart, P. Dhamelincourt, M.A. Poisson

9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France. ⟨hal-00149716⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation de films minces d'alliages à mémoire de forme par acoustique picoseconde

R. Cote, Arnaud Devos, I. Roch, L. Buchaillot

2002, pp.304-307. ⟨hal-00147776⟩

• Thèse

Etude et amélioration d'un récepteur pour la norme EDGE, Study and improvement of a receiver for edge standard

Iyad Dayoub

Le but que nous avons poursuivi dans ce travail est l'amélioration des performances des récepteurs destinés au système EDGE. Nous avons développé plus particulièrement deux points : la reconnaissance automatique du type de modulation dans la rafale en cours de réception et l'égalisation…, The purpose, which we pursued in this work, is the improvement of the performances of the receivers intended for the system EDGE. We developed more particularly two points: The automatic recognition of modulation type in the received burst and the channel equalizer. As regards the modulation type…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2001. Français. ⟨NNT : 2001VALE0032⟩. ⟨hal-00152911⟩