Publications

• Communication dans un congrès

On wafer silicon integrated noise source characterization up to 110 GHz based on germanium-on-silicon photodiode

Sandrine Oeuvrard, Jean-Francois Lampin, Guillaume Ducournau, Sylvie Lepilliet, Francois Danneville, Thomas Quemerais, Daniel Gloria

In this work, a new concept of photonic noise source has been developed and characterized, based on Germanium-on-Silicon high speed photodiode (GeHSPD). This photodiode RF output power has been preliminary characterized up to 210 GHz, using a dedicated optoelectronic bench and demonstrating…

27th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2014, 2014, Udine, Italy. pp.150-154, ⟨10.1109/ICMTS.2014.6841484⟩. ⟨hal-01055046⟩

• Communication dans un congrès

Engineering of oxide based resistive switching for neuromorphic computing

F. Alibart, Selina La Barbera, G. Sassine, N. Najjari, Dominique Vuillaume

Journées Nationales du GdR OXYFUN " Oxydes fonctionnels : du matériau au dispositif ", 2014, Autrans, France. ⟨hal-01055005⟩

• Communication dans un congrès

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Communication dans un congrès

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• Article dans une revue

Elastic properties of tensile nitrogen-plasma-treated multilayer silicon nitride films

M. Braccini, F. Volpi, Arnaud Devos, G. Raymond, D. Benoit, Pascal Morin

Highly stressed silicon nitride thin films are used in gate first complementary metal oxide semiconductors to improve mobility in the silicon channel. Compressive stresses improve hole mobility in p-type MOS transistors while tensile stresses increase electron mobility in n-type MOS devices. High…

Thin Solid Films, 2014, 551, pp.120-126. ⟨10.1016/j.tsf.2013.11.012⟩. ⟨hal-00925380⟩

• Article dans une revue

Mercury telluride colloidal quantum dots : electronic structure, size-dependent spectra, and photocurrent detection up to 12 µm

Sean E. Keuleyan, Philippe Guyot-Sionnest, Christophe Delerue, Guy Allan

HgTe colloidal quantum dots are synthesized with high monodispersivity with sizes up to ∼15 nm corresponding to a room temperature absorption edge at ∼5 μm. The shape is tetrahedral for larger sizes and up to five peaks are seen in the absorption spectra with a clear size dependence. The size range…

ACS Nano, 2014, 8, pp.8676-8682. ⟨10.1021/nn503805h⟩. ⟨hal-01063878⟩

• Communication dans un congrès

InxGa1-xN/GaN MQWs heterostructures for solar cells applications

Ezgi Dogmus, Ludovic Largeau, Nathalie Rolland, F Medjdoub

The high quality and high indium content InxGa1-xN/GaN (x~ 0.10 and x~0.30) multiple quantum wells (MQWs) grown on sapphire (0001) by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) were investigated by High Angle Annular Dark Field Scanning Transmission Electron Microscopy (HAADF-STEM), Energy…

38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE 2014, 2014, Delphi, Greece. 2 p. ⟨hal-01006446⟩

• Article dans une revue

Mechanical damage assessment of polymer-matrix composites using active infrared thermography

Walid Harizi, S. Chaki, Gérard Bourse, Mohamed Ourak

The present work uses an active form of the infrared (IR) thermography technique for monitoring and characterization of the damage of glass fibers reinforced Polymer-Matrix Composites (PMCs) following an experimental protocol based on a monotonic tensile test with constant stress steps. The active…

Composites Part B: Engineering, 2014, 66, pp.204-209. ⟨10.1016/j.compositesb.2014.05.017⟩. ⟨hal-01009971⟩

• Communication dans un congrès

Near-field microscopy : from MIR to THz

Gabriel Moreno, Antoine Pagies, Damien Ducatteau, Nicolas Clément, Tahsin Akalin, Mathias Vanwolleghem, Jean-Francois Lampin

joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. 2 p. ⟨hal-01015277⟩