Publications

• Autre publication scientifique

Mise en oeuvre d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour l'analyse de transistors HBT SiGe

Rezki Ouhachi

2012. ⟨hal-00799323⟩

• Autre publication scientifique

Modélisation compacte des transistors MOS nanométriques pour applications RF et millimétriques

Benjamin Dormieu

2012. ⟨hal-00799268⟩

• Autre publication scientifique

Caractérisation de l'endommagement des composites à matrice polymère par une approche multi-technique non destructive

Walid Harizi

2012. ⟨hal-00799379⟩

• Article dans une revue

One decade microwave forward network analyzer based on the multi-port technique

Kamel Haddadi, T. Lasri

Progress In Electromagnetics Research C, 2012, 30, pp.105-118. ⟨hal-00788270⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à l'étude et à la correction de la diaphonie dans les réseaux de transducteurs piézoélectriques pour l'imagerie médicale

Abdelmajid Bybi

2012. ⟨hal-00799377⟩

• Communication dans un congrès

Digital RF signal generation for ultimate transmitters

A. Frappé

BIT's 1st Annual World Congress of Emerging InfoTech, WCEIT 2012, 2012, Dalian, China. ⟨hal-00819471⟩

• Communication dans un congrès

Interferometric technique for microwave measurement of high impedances

Kamel Haddadi, T. Lasri

60th IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, 2012, Montréal, Canada. pp.1-3, ⟨10.1109/MWSYM.2012.6259554⟩. ⟨hal-00802596⟩

• Communication dans un congrès

An integrated hybrid microfluidic system for online bioprocesses monitoring : combining electrical LYSIS and EWOD sample preparation

C. Wu, F. Brunelle, M. Harnois, J. Follet, V. Senez

25th IEEE Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2012, 2012, Paris, France. pp.777-780, ⟨10.1109/MEMSYS.2012.6170301⟩. ⟨hal-00802607⟩

• Article dans une revue

Low-frequency noise in Schottky-barrier-based nanoscale field-effect transistors

N. Clement, G. Larrieu, Emmanuel Dubois

Investigation of low-frequency noise in nanoscale Schottky-barrier (SB)-based field-effect transistors (SB-FETs) is of prime importance due to its large amplitude in emerging bottom-up devices. In addition, noise can give additional information on charge transport mechanisms. In this paper, we…

IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (1), pp.180-187. ⟨10.1109/TED.2011.2169676⟩. ⟨hal-00787365⟩

• Article dans une revue

High-performance modulation-doped heterostructure-thermopiles for uncooled infrared image-sensor application

M. Abe, N. Kogushi, K.S. Ang, R. Hofstetter, K. Manoj, L.N. Retnam, H. Wang, G.I. Ng, C. Jin, D. Pavlidis

IEICE Transactions on Electronics, 2012, E95-C, pp.1354-1362. ⟨10.1587/transele.E95.C.1354⟩. ⟨hal-00790416⟩