Publications

• Communication dans un congrès

Modélisation des ondes élastiques émises par un défaut sous contrainte

W. Ben Khalifa, K. Jezzine, Sébastien Grondel

Journées COFREND, Conférences et exposition sur les essais non destructifs, 2011, Dunkerque, France. pp.1-10. ⟨hal-00806713⟩

• Communication dans un congrès

Couplage de fonctions microfluidiques et térahertz sur puce pour l'analyse d'interactions biologiques

Simon Laurette, A. Treizebre, Adil Elagli, Bertrand Bocquet

14èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Micro et Nanoélectronique, JNRDM 2011, May 2011, Cachan, France. pp.1-4. ⟨hal-00806703⟩

• Communication dans un congrès

Instrumentation hyperfréquence dédiée à la caractérisation diélectrique en environnement intra-bâtiment

Kamel Haddadi, M.M. Wang, Philippe Mariage, D. Glay, T. Lasri

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 130, 2F7, 1-4. ⟨hal-00806696⟩

• Communication dans un congrès

Principe alternatif de conversion thermoélectrique : nouveaux matériaux à faible travail d'extraction

François Morini, Emmanuel Dubois, T. Skotnicki, S. Monfray

14èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Micro et Nanoélectronique, JNRDM 2011, 2011, Cachan, France. pp.1-4. ⟨hal-00806677⟩

• Communication dans un congrès

Application of phononic crystals to filtering and to the negative refraction of elastic waves

K.J. Olympio, Charles Croënne, Jerome O. Vasseur, Bertrand Dubus, B. Morvan, Anne-Christine Hladky

US Navy International Workshop on Acoustic Transduction Materials and Devices, 2011, State College, PA, United States. ⟨hal-00807112⟩

• Article dans une revue

Demonstration of low leakage current and high polarization in ultrathin AlN/GaN high electron mobility transistors grown on silicon substrate

F Medjdoub, Malek Zegaoui, N. Rolland, Paul-Alain Rolland

High quality AlN/GaN heterostructures grown on silicon substrate are demonstrated. It is found that high carrier concentration can be achieved whereas circular diodes showed a low leakage current up to 200 V reverse bias. 200 nm gate length AlN/GaN transistors exhibited a drain current density of 1…

Applied Physics Letters, 2011, 98 (22), pp.223502-1-3. ⟨10.1063/1.3595943⟩. ⟨hal-00603008⟩

• Autre publication scientifique

Emetteur à 60 GHz avec possibilités radio-logicielle

Jonathan Muller

2011. ⟨hal-00799412⟩

• Autre publication scientifique

Réseaux d'oscillateurs couplés intégrés sur silicium pour architectures déphasées pour applications sans fil en gamme millimétrique

Mathieu Egot

2011. ⟨hal-00799415⟩

• Communication dans un congrès

Development of elastic super-lenses made of phononic crystals for ultrasonic imaging

Bertrand Dubus, Charles Croënne, Anne-Christine Hladky, Jerome O. Vasseur, A. Tinel, B. Morvan

6th Forum Acusticum, 2011, Aalborg, Denmark. pp.987-990. ⟨hal-00799669⟩

• Autre publication scientifique

The lattice dynamics of lead chalcogenides

Ondrej Kilian

2011. ⟨hal-00799438⟩