Publications

• Communication dans un congrès

Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)

F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger

13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4. ⟨hal-00573207⟩

• Article dans une revue

Structured light fringe projection setup using optimized acousto-optic deflectors

Samuel Dupont, Jean-Claude Kastelik, Michel Pommeray

IEEE/ASME Transactions on Mechatronics, 2010, 15, pp.557-560. ⟨10.1109/TMECH.2010.2052627⟩. ⟨hal-00549025⟩

• Article dans une revue

(Multi)exciton dynamics and exciton polarizability in colloidal InAs quantum dots

Joep J. H. Pijpers, M.T.W. Milder, C. Delerue, Mischa Bonn

We report steady state and dynamic properties of (multi)excitons in InAs quantum dots using femtosecond time-resolved transient absorption and time-resolved terahertz spectroscopy. The polarizability of confined excitons in the ground state is found to be of the order of 104 Å3, increasing sharply…

Journal of Physical Chemistry C, 2010, 114 (14), pp.6318-6324. ⟨10.1021/jp911948z⟩. ⟨hal-00549022⟩

• Article dans une revue

High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector

Malek Zegaoui, Z. Xu, N. Saadsaoud, Kianhuan Tan, Wan Khai Loke, Satrio Wicaksono, Soon Fatt Yoon, Christiane Legrand, Didier Decoster, Jean Chazelas

The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength over 1.3 μm is sandwiched by GaAs and AlGaAs cladding layers. The device…

IEEE Electron Device Letters, 2010, 31 (7), pp.704-706. ⟨10.1109/LED.2010.2049563⟩. ⟨hal-00549006⟩

• Article dans une revue

Faceted sidewalls of silicon nanowires : Au-induced structural reconstructions and electronic properties

T. Xu, J.P. Nys, A. Addad, O.I. Lebedev, A. Urbieta, B. Salhi, Maxime Berthe, B. Grandidier, D. Stievenard

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2010, 81, pp.115403-1-10. ⟨10.1103/PhysRevB.81.115403⟩. ⟨hal-00549070⟩

• Communication dans un congrès

Report de couches actives de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb/InP en vue de la dissipation thermique

N.A. Thiam

13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 1. ⟨hal-00572215⟩

• Article dans une revue

Metallographic and numerical studies of the role of catalyst particles of MgH2-Mg system

M. Celino, A. Montone, F. Cleri, A. Aurora, D. Mirabile-Gattia, S. Giusepponi, M. Vittori-Antisari

Defect and Diffusion Forum, 2010, 297-301, pp.263-268. ⟨10.4028/www.scientific.net/DDF.297-301.263⟩. ⟨hal-00549631⟩

• Communication dans un congrès

Modélisation physique de l'oreille moyenne par schémas à constantes localisées et lignes de propagation

Elisabeth Delevoye, Christian Granger, Pascal Mosbah, Bertrand Dubus

Basés sur des analogies électromécaniques et électroacoustiques, les schémas à constantes localisés permettent une modélisation satisfaisante de l'oreille moyenne jusqu'à des fréquences de 6 à 8 kHz pour le chat et de 2 kHz pour l'homme. L'extension du modèle à des fréquences…

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00549203⟩

• Article dans une revue

A 60 GHz power amplifier with 14.5 dBm saturation power and 25% peak PAE in CMOS 65 nm SOI

A. Siligaris, Y. Hamada, C. Mounet, C. Raynaud, B. Martineau, N. Deparis, N. Rolland, M. Fukaishi, P. Vincent

IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, 45, pp.1286-1294. ⟨10.1109/JSSC.2010.2049456⟩. ⟨hal-00548603⟩

• Article dans une revue

60 GHz current gain cut-off frequency graphene nanoribbon FET

N. Meng, F.J. Ferrer, D. Vignaud, Gilles Dambrine, H. Happy

International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2010, 2, pp.441-444. ⟨10.1017/S175907871000070X⟩. ⟨hal-00548564⟩