Publicaciones

• Communication dans un congrès

Millimeter ultra wide band positioning system

Michael Bocquet, Christophe Loyez, A. Benlarbi-Delai

2004, pp.265-268. ⟨hal-00142284⟩

• Autre publication scientifique

Etude et réalisation d'un transducteur et d'un système de transmission fibre multimode–radio à 850 nm pour applications GSM, UMTS et WiFi

C. Lethien

2004. ⟨hal-00141175⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à l'introduction de concepts mécaniques dans les micro et les nano systèmes

L. Buchaillot

2004. ⟨hal-00141025⟩

• Article dans une revue

Electrostatic actuated microgripper using an amplification mechanism

O. Millet, P. Bernardoni, S. Regnier, P. Bidaud, E. Tsitsiris, D. Collard, L. Buchaillot

Sensors and Actuators A: Physical , 2004, 114, pp.371-378. ⟨hal-00141006⟩

• Autre publication scientifique

Fabrication de réseaux de Bragg particuliers par lithographie électronique : application à la réalisation de dispositifs photoniques et optoélectroniques sur matériaux de la filière InP

S. Garidel

2004. ⟨hal-00141176⟩

• Communication dans un congrès

Advanced and nanometric MOSFET architecture, multiple gate devices and Pi gates

J. Penaud, F. Fruleux, Emmanuel Dubois, G. Larrieu

MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, MIGAS'04, 2004, Autrans, France. ⟨hal-00140995⟩

• Communication dans un congrès

High indium content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)

X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot

Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII, 2004, Edinburgh, Scotland, United Kingdom. ⟨hal-00142074⟩

• Communication dans un congrès

Non-linear modeling of the kink effect in deep sub-micron SOI MOSFET

A. Siligaris, Gilles Dambrine, Francois Danneville

2004, pp.47-50. ⟨hal-00133900⟩

• Autre publication scientifique

Simulation Monte Carlo du transport quantique dans les composants nanométriques. Application à l'étude de lasers à cascade quantique térahertz

Olivier Bonno

2004. ⟨hal-00133931⟩

• Article dans une revue

Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN

B. Boudart, Y. Guhel, J. C. Pesant, P. Dhamelincourt, M. A. Poisson

Mg+ ions were implanted at room temperature in n-type hexagonal GaN for the device isolation purposes. The implantation dose varied from 7.5 × 1012 to 1016 ions cm−2. We performed resonance Raman spectroscopy and DC electrical measurements in order to monitor the structural and electrical changes...

Journal of Physics: Condensed Matter, 2003, 16 (2), pp.S49. ⟨10.1088/0953-8984/16/2/006⟩. ⟨hal-02936052⟩