Publicaciones

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  • COMM

Modélisation de bruit pour des MOSFETs SOI 0,25 microns totalement désertés

G. Pailloncy, B. Iniguez, J.P. Raskin, Gilles Dambrine, Francois Danneville

2003, pp.6A-3. ⟨hal-00146010⟩

  • COMM

Rayonnement de sources sismiques directionnelles enfouies dans un demi-espace élastique

Madjid Berraki, Bertrand Dubus, Axelle Baroni

VIIIèmes Journées d'Acoustique Physique, Sous-marine et Ultrasonore, JAPSUS, 2003, Cargèse, France. ⟨hal-00145968⟩

  • COMM

Oscillateur microondes en technologie CMOS/SOI : étude grand signal des dispositifs et performances des circuits

B. Parvais, A. Siligaris, A. Cerdeire, D. Schreurs, Francois Danneville, Gilles Dambrine, J.P. Raskin

2003, pp.5B-5. ⟨hal-00146014⟩

  • COMM

Lignes coplanaires hautes impédances, influence d'une couche diélectrique

Yannick Roelens, J.S. Galloo, E. Pichonat, S. Bollaert, G. Six, A. Cappy, S. Huynen, L. Berdnarz, J. Mateos

Optique Hertzienne et Diélectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France. ⟨hal-00146017⟩

  • ART

Adsorption behavior of conjugated (C)3-oligomers on Si(100) and HOPG surfaces

G. Mahieu, B. Grandidier, D. Stievenard, Christophe Krzeminski, C. Delerue, C. Martineau, J. Roncali

Langmuir, 2003, 19, pp.3350-3356. ⟨hal-00146588⟩

  • COMM

Caractérisation opto-micro-ondes de commutateurs optiques, application aux mesures d'indices de réfraction

Samuel Dupont, K. Blary, Jean-Pierre Vilcot, J. Chazelas, H. Li, Didier Decoster

2003, pp.5C-7. ⟨hal-00146560⟩

  • ART

A post-processor for reducing temporal busyness in low-bit-rate applications

François-Xavier Coudoux, Marc G. Gazalet, Patrick Corlay

Signal Processing: Image Communication, 2003, 18, pp.455-463. ⟨hal-00146716⟩

  • COMM

Gallium nitride activity at TIGER

S. Delage, C. Brylinski, Jean-Claude de Jaeger

CEPA2 Microelectronics Workshop, 2003, Gothenburg, Sweden. ⟨hal-00146713⟩

  • COUV

Theory of Si nanocrystals

Guy Allan, Christophe Delerue, Michel Lannoo

The intense luminescence observed for porous silicon [1] has raised extremely interesting problems related to the possibility of using silicon in optoelectronics. One likely explanation is quantum confinement, induced by the formation of nanocrystallites. However, the experimental data reveal a...

PAVESI L., GAPONENKO S., and DAL NEGRO L. Towards the first silicon laser, Kluwer Academic Publishers, pp.243-260, 2003, 978-1-4020-1194-8. ⟨10.1007/978-94-010-0149-6_22⟩. ⟨hal-00131749⟩