Publicaciones

• Communication dans un congrès

Nouveau microcapteur de rayonnement ultraviolet à absorption différentielle

Katir Ziouche, Mohamed Boutchich, D. Loridant-Bernard, Pascale Godts, Didier Leclercq

Journées Micro et Nano Technologies, 2000, Paris, France. ⟨hal-00158491⟩

• Communication dans un congrès

New regulated voltage down converter based on modified bandgap cell

Edith Kussener, Herve Barthelemy, A. Robers, A. Malherbe, A. Kaiser

2000, pp.19-21. ⟨hal-00158509⟩

• Communication dans un congrès

Numerical modelling of shape memory alloy nonlinear behavior laws : application to an adaptative structure

L. Buchaillot, S. Rafanomezantsoa, Anne-Christine Hladky, I. Roch

Proceedings of the 2000 International Conference on Shape Memory and Superelastic Technologies, SMST-2000, 2000, Pacific Grove, CA, United States. ⟨hal-00158519⟩

• Article dans une revue

Synthesis and microwave characterizations of crosslinked oligoimide

L. Bes, B. Boutevin, A. Rousseau, R. Mercier, B. Bellini, Didier Decoster, J.F. Larchanche, Jean-Pierre Vilcot

Synthetic Metals, 2000, 115, pp.251-256. ⟨hal-00158576⟩

• Article dans une revue

Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures

S. Silvestre, E. Constant, D. Bernard-Loridant, M. Constant, Jacques Chevallier

Superlattices and Microstructures, 2000, 5/6, pp.431-435. ⟨hal-00158581⟩

• Communication dans un congrès

Les matériaux métamorphiques : une voie pour l'intégration de composants pour applications millimétriques sur substrat d'arséniure de gallium

Y. Cordier, A. Cappy, M. Zaknoune, S. Bollaert

Journée Thématique sur l'Electronique Intégrée, 2000, Arcueil, France. ⟨hal-00158447⟩

• Article dans une revue

Quantum confinement energies in zinc-blende III-V and diamond IV semiconductors

Guy Allan, Yann-Michel Niquet, Christophe Delerue

Blueshift of the band gap due to quantum confinement is calculated in a tight-binding model for a series of nine III–V zinc-blende AB (A=Al, Ga, or In, B=As, P, or Sb) and two diamond group-IV (Si and Ge) semiconductor clusters. Analytic expressions for the highest occupied molecular orbital and...

Applied Physics Letters, 2000, 77, pp.639-641. ⟨10.1063/1.127070⟩. ⟨hal-00158665⟩

• Article dans une revue

Microscopic characterization of defects using scanning tunneling microscopy

D. Stievenard

Materials Science and Engineering: B, 2000, B71, pp.120-127. ⟨hal-00158667⟩

• Communication dans un congrès

Microtechnologies for the monolithic fabrication of mm and submm nonlinear devices

P. Mounaix, S. Arscott, T. David, Florence Podevin, X. Melique, D. Lippens

2000, pp.28-31. ⟨hal-00158204⟩

• Communication dans un congrès

High Q InP-based varactor diodes

T. David, P. Mounaix, X. Melique, F. Mollot, O. Vanbésien, M. Chaubet, D. Lippens

Proceedings of the 11th International Symposium on Space Terahertz Technology, 2000, Ann Arbor, MI, United States. ⟨hal-00158223⟩