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Theory of optical properties and recombination processes in porous silicon
Michel Lannoo, Guy Allan, Christophe Delerue
AMATO G., DELERUE C., VON BARDEBEN H.J. Structural and optical properties of porous silicon nanostructures, Gordon and Breach Science Publishers, pp.187, 1997. ⟨hal-00132029⟩
Lead zirconate titanate thin films on GaAs substrates
S. Arscott, R Kurchania, R. Miles, S. Milne
Journal of Materials Science, 1997, 32 (23), pp.6129-6133. ⟨10.1023/A:1018604220159⟩. ⟨hal-02348141⟩
Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
IEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design, 1997, Kassel, Germany. ⟨hal-01648141⟩
Projets et premiers résultats de modélisation et de technologie dans la filière HEMT GaN
Didier Theron, F. Dessenne, R. Fauquembergue, X. Hue, B. Boudart, Xavier Wallart, J. Laurens, Monique Constant
GDR Matériaux Grand Gap, 1997, Nice Sophia Antipolis, France. ⟨hal-01654458⟩
Nanooxidation of Silicon Surfaces with a Scanning Probe Microscope: Application to the Conception of Nanodevices
Didier Stiévenard, Paul-Aymeric Fontaine, Emmanuel Dubois, Bruno Grandidier
Proceed¬ings of the N2M’97 workshop, 1997, Tokyo, Japan. ⟨hal-04249224⟩
Modélisation d'un oscillateur pulsé basée sur le couplage de modèles physique, électrique, thermique et électromagnétique
Stéphane Beaussart, Marie-Renée Friscourt, Christophe Dalle
2nde Conférence Européenne sur les Méthodes Numériques en Electromagnétisme, NUMELEC'97, 1997, Lyon, France. ⟨hal-00005305⟩
Equilibrium shape of epitaxial clusters
C. Duport, C. Priester, J. Villain
TRINGIGES M.C. Surface diffusion : atomistic and collective processes, Plenum Press, New York, USA, pp.191-196, 1997. ⟨hal-00132568⟩
Empirical tight-binding applied to silicon nanostructures
Christophe Delerue, Guy Allan, Michel Lannoo
MRS Boston, 1997, Boston, United States. ⟨hal-03316943⟩
LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation
Didier Theron, Mohamed Zaknoune, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Georges Salmer, M. Lipka, M. Birk, H. Heinecke, B. Splingart, Erhard Kohn, Hugues Thomas, D. V. Morgan, J. Schneider
23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia. ⟨hal-01648139⟩
Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs
Didier Theron, B. Boudart, Y. Druelle, Georges Salmer, M. Lipka, Erhard Kohn
6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1997, Chantilly, France. ⟨hal-01654456⟩