Publications

• Communication dans un congrès

Modèles numériques en acoustique non-linéaire – Application aux ultrasons de puissance

Bertrand Dubus, C. Campos-Pozuelo, C. Vanhille

Journée du GDR Ondes - Modèles de propagation en acoustique, 2005, Paris, France. ⟨hal-00125901⟩

• Communication dans un congrès

Excitonic effects in boron nitride nanotubes

L. Wirtz

Réunion générale du GDR-DFT, 2005, Cap d'Agde, France. ⟨hal-00126429⟩

• Communication dans un congrès

Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate

Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Laurent Bary, Christophe Chambon, Sébastien Gribaldo, Olivier Llopis, Laurent Escotte, Robert Plana, S. Delage, Christophe Gaquière, Jacques Graffeuil

2005, pp.277-280. ⟨hal-00154917⟩

• Communication dans un congrès

Actionneurs électrostatiques complètement isolés : fabrication, fonctionnement et caractérisation en milieu liquide

Anne-Sophie Rollier, Bernard Legrand, Lionel Buchaillot, Dominique Collard

Cet article présente la mise en œuvre d'actionneurs électrostatiques fonctionnant en milieu liquide par le biais d'une complète encapsulation des parties structurelles avec du nitrure de silicium peu contraint. Ces actionneurs ont été fabriqués et caractérisés. L'actionnement a été…

17e Congrès Français de Mécanique, 2005, Troyes, France. ⟨hal-04203498⟩

• Article dans une revue

CBr4 and Be heavily doped InGaAs grown in a production MBE system

S. Godey, S. Dhellemmes, A. Wilk, M. Zaknoune, F. Mollot

Journal of Crystal Growth, 2005, 278, pp.600-603. ⟨hal-00154907⟩

• Communication dans un congrès

Terahertz emission and noise spectra in HEMTs

J. Mateos, S. Perez, D. Pardo, T. Gonzalez, J. Lusakowski, N. Dyakonova, W. Knap, S. Bollaert, Yannick Roelens, A. Cappy, J.F. Millithaler, L. Varani

Terahertz emission and noise spectra in HEMTs, L. Reggiani, 2005, Lecce, Italy. pp.423-430, ⟨10.1063/1.2138647⟩. ⟨hal-00154897⟩

• Article dans une revue

High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, D. Theron, B. Boudart, Virginie Hoel, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage

The benefit of high drain-source bias voltages of GaN devices on sapphire substrates for high linearity applications is demonstrated. Whatever the output power densities considered, the corresponding intermodulation ratio is at least 20 dB better than usual PHEMT devices on GaAs substrates for the…

Electronics Letters, 2005, 41 (1), ⟨10.1049/el:20056735⟩. ⟨hal-01646906⟩

• Article dans une revue

The effect of LaNiO3 bottom electrode thickness on ferroelectric and dielectric properties of (100) oriented PbZr0.53Ti0.47O3 films

G.S. Wang, Denis Remiens, Caroline Soyer, El Hadj Dogheche, Eric Cattan

The (1 0 0) oriented LaNiO3 (LNO) films with different thickness were prepared on SiO2/Si substrate by a modified metallorganic decomposition process. PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) films (∼1 μm) subsequently deposited on LNO by modified sol–gel process. The X-ray diffraction measurements show PZT films…

Journal of Crystal Growth, 2005, 284 (1-2), pp.184-189. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2005.07.014⟩. ⟨hal-00130818⟩

• Proceedings/Recueil des communications

Aggregati and congiunti

Raffaele Pisano

Proceedings of XCI SIF National Congress Italian Society of Physics, SIF, pp.45-46, 2005. ⟨hal-04515843⟩

• Communication dans un congrès

Adaptive multi-path channel estimation in CDMA based on prefiltering : combination with a linear equalizer

E. Simon, L. Ros

Proceedings of the 14th IST Mobile and Wireless Communications Summit, 2005, Dresden, Germany. ⟨hal-00247774⟩