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Autre publication scientifique

Caractérisation et stimulation de la susceptibilité des circuits intégrés face aux risques d'induction engendrés par des micro-ondes de fortes puissances

S. Bazzoli

2005. ⟨hal-00140410⟩

Communication dans un congrès

Monte Carlo simulation of terahertz quantum cascade lasers : the influence of the modelling of carrier-carrier scattering

Olivier Bonno, Jean-Luc Thobel, François Dessenne

Proceedings of the 15th Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices, 2005, Pisa, Italy. ⟨hal-00131334⟩

Communication dans un congrès

Noise assessment of AlGaN/GaN HEMTs on Si or SiC substrates : application to X-band low noise amplifiers

Jean-Claude de Jaeger, S.L. Delage, Gilles Dambrine, M.A. Poisson, Virginie Hoel, Sylvie Lepilliet, B. Grimbert, E. Morvan, Y. Mancuso, G. Gauthier, A. Lefrancois, Y. Cordier

2005, pp.229-232. ⟨hal-00126458⟩

Communication dans un congrès

Nanotechnologie, micro et nanosystèmes

Bernard Legrand

5ème Colloque International TELECOM'2005 & 4èmes Journées Franco-Magrhébines des Micro-ondes et leurs Applications, JFMMA, 2005, Rabat, Maroc. ⟨hal-00126233⟩

Article dans une revue

Behavior of a common source traveling wave amplifier versus temperature in SOI technology

M. Si Moussa, C. Pavageau, P. Simon, Francois Danneville, J. Russat, N. Fel, J.P. Raskin, D. Vanoenacker-Janvier

EuMA - Journal of the European Microwave Association, 2005, 1, pp.288-292. ⟨hal-00125165⟩

Communication dans un congrès

Micro-commutateurs MEMS série sur arséniure de gallium avec encapsulation pour antennes intelligentes pour réseau d'objets mobiles communicants à 60 GHz

A. Boé, M. Fryziel, N. Deparis, Christophe Loyez, N. Rolland, H. Toshiyoshi, P.A. Rolland

Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126743⟩

Communication dans un congrès

High frequency low noise potentialities of down to 65nm technology nodes MOSFETs

Gilles Dambrine, Daniel Gloria, Patrick Scheerer, Christine Raynaud, Francois Danneville, Sylvie Lepilliet, Alexandre Siligaris, Guillaume Pailloncy, Baudouin Martineau, Emmanuel Bouhana, Raphael Valentin

65 nm n-MOSFETs show state-of-the-art cut-off frequency with f t = 210 GHz and microwave low noise and high gain properties (NF min = 0.8 dB and G ass = 17.3 dB at 12 GHz). As compared with the previous nodes, the high frequency properties of these MOSFETs continue to be in agreement with the…

European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2005, Oct 2005, Paris, France. pp.97-100. ⟨hal-00125303⟩