Publications

• Article dans une revue

Electrostatic actuated microgripper using an amplification mechanism

O. Millet, P. Bernardoni, S. Regnier, P. Bidaud, E. Tsitsiris, D. Collard, L. Buchaillot

Sensors and Actuators A: Physical , 2004, 114, pp.371-378. ⟨hal-00141006⟩

• Autre publication scientifique

Fabrication de réseaux de Bragg particuliers par lithographie électronique : application à la réalisation de dispositifs photoniques et optoélectroniques sur matériaux de la filière InP

S. Garidel

2004. ⟨hal-00141176⟩

• Communication dans un congrès

Advanced and nanometric MOSFET architecture, multiple gate devices and Pi gates

J. Penaud, F. Fruleux, Emmanuel Dubois, G. Larrieu

MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, MIGAS'04, 2004, Autrans, France. ⟨hal-00140995⟩

• Communication dans un congrès

High indium content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)

X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot

Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII, 2004, Edinburgh, Scotland, United Kingdom. ⟨hal-00142074⟩

• Communication dans un congrès

Non-linear modeling of the kink effect in deep sub-micron SOI MOSFET

A. Siligaris, Gilles Dambrine, Francois Danneville

2004, pp.47-50. ⟨hal-00133900⟩

• Autre publication scientifique

Simulation Monte Carlo du transport quantique dans les composants nanométriques. Application à l'étude de lasers à cascade quantique térahertz

Olivier Bonno

2004. ⟨hal-00133931⟩

• Communication dans un congrès

Design and fabrication of miniature and monolithic transducers

Anne-Christine Hladky, R.E. Newnham, D.C. Markley, R.J. Meyer, J.K. Cochran

International Conference on Material Technology and Design of Integrated Piezoelectric Devices, 2004, Courmayeur, Italy. ⟨hal-00250170⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication and creep behavior of SiCN(O) nanocomposites

Mohamed Amara, R. Dez, Sylvie Foucaud, D. Bahloul-Hourlier, P. Goursat, Nathalie Herlin-Boime

4th International Symposium on Nitrides, 2004, Belgium. pp.281-285. ⟨hal-00248025⟩

• Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/…

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩

• Article dans une revue

Safety analysis method of a system exposed to electromagnetic risks

B. Demoulin, R. Kassi, D. Degardin, J. Baudet

La Revue de l'électricité et de l'électronique, 2004, 8, pp.57-63. ⟨hal-00162795⟩