Publications
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Growth process and surface acoustic wave characteristics of LiNbO3/Diamond/silicon multilayered structures
El Hadj Dogheche, X. Lansiaux, Denis Remiens, Véronique Sadaune, S. Chauvin, Tadeusz Gryba
Japanese Journal of Applied Physics Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers, 2003, 42, pp.572-574. ⟨hal-00145970⟩
Contribution à la caractérisation ultrasonore des milieux hétérogènes : application aux biomatériaux de substitution osseuse, Contribution to the ultrasonic characterisation of heterogeneous mediums : application on bone substitute biomaterials
Pierre Campistron
Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, UVHC, (France), 2002. Français. ⟨NNT : 2002VALE0036⟩. ⟨hal-00149887⟩
Free carrier mobility in AlGaN/GaN quantum wells
J-L Farvacque, Z. Bougrioua, F. Carosella, I Moerman
Journal of Physics: Condensed Matter, 2002, 14 (48), pp.13319-13328. ⟨10.1088/0953-8984/14/48/384⟩. ⟨hal-02906518⟩
Transport électronique dans l'ADN
Thomas Heim
Biophysique [physics.bio-ph]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2002. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00003954⟩
Determination of elastic parameters in isotropic plates by using acoustic microscopy measurements and an optimization method
Michael Lematre, Youssef Benmehrez, G. Bourse, Wei-Jiang Xu, Mohamed Ourak
NDT & E International, 2002, 35 (8), pp.493-502. ⟨10.1016/S0963-8695(02)00010-5⟩. ⟨hal-00149899⟩
Les photodiodes métal-semiconducteur-métal (MSM)
Joseph Harari, V. Magnin
DECOSTER D., HARARI J. Détecteurs optoélectroniques, Hermès Sciences, Lavoisier, 244 p., 2002. ⟨hal-00132033⟩
Les photodiodes à avalanche
G. Ripoche, Joseph Harari
DECOSTER D., HARARI J. Détecteurs optoélectroniques, Hermès Sciences, Lavoisier, pp.149-169, 2002. ⟨hal-00132035⟩
Détecteurs optoélectroniques
Didier Decoster, Joseph Harari
Hermès Sciences, Lavoisier, 244 p., 2002. ⟨hal-00132039⟩
Dispositif d'échantillonnage de signal électrique haute fréquence
A. Ghis, P. Ouvrier-Buffet, N. Rolland, A. Benlarbi-Delai
N° de brevet: FR2824969 (A1). 2002. ⟨hal-00372668⟩
MOS transistor for high density integrated circuit
Emmanuel Dubois
France, Patent n° : EP1258042. 2002. ⟨hal-04249499⟩