Publications

• Autre publication scientifique

Rayonnement et diffusion acoustique en régime impulsionnel sur cibles élastiques immergées. Etude par visualisation ultra-rapide et modélisations numériques

L. Derbesse

2001. ⟨hal-00152092⟩

• Autre publication scientifique

Simulation Monte Carlo du transport électronique dans les polytypes de carbure de silicium. Application aux MOSFETS et MESFETS SiC

M. Youssef

2001. ⟨hal-00152063⟩

• Autre publication scientifique

Multiplicateurs de fréquence à base de lignes de transmission non linéaire

M. Fernandez-Diego

2001. ⟨hal-00152062⟩

• Communication dans un congrès

Diodes à hétérostructures pour le mélange subharmonique

Florence Podevin, J. Massiet, P. Mounaix, O. Vanbésien, M. Chaubet, D. Lippens

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152080⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation THz de circuits électroniques par échantillonnage d'électroabsorption

L. Desplanque, Jean-Francois Lampin, F. Mollot

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152079⟩

• Article dans une revue

Compound statistical model for 60 GHz channel

Y. Delignon, L. Clavier, V. Lethuc, C. Garnier, Mustapha Rachdi

IEEE 54th Vehicular Technology Conference. VTC Fall 2001. Proceedings (Cat. No.01CH37211) , 2001, pp.1780-1784. ⟨10.1109/vtc.2001.956506⟩. ⟨hal-04838037⟩

• Article dans une revue

Detection of picosecond electrical pulses using the intrinsic Franz-Keldysh effect

Jean-Francois Lampin, L. Desplanque, F. Mollot

We report time-resolved measurements of ultrafast electrical pulses propagating on a coplanar transmission line using the intrinsic Franz-Keldysh effect. A low-temperature-grown GaAs layer deposited on a GaAs substrate allows generation and also detection of ps pulses via electroabsorption sampling…

Applied Physics Letters, 2001, 78 (26), pp.4103-4105. ⟨10.1063/1.1381030⟩. ⟨hal-00018479⟩

• Article dans une revue

Growth of strained Ga_1-xIn_xP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy: similarities and differences with the growth of strained arsenides

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot

Using reflection high energy electron diffraction and atomic force microscopy, the growth of Ga1−xInxP alloys on GaP (0 0 1) with x varying from 0.2 to 1 (InP) is investigated and compared to that of arsenides on GaAs (0 0 1) or InP (0 0 1). At 520°C, the evolution of the critical thickness for 3D…

• Communication dans un congrès

Etude théorique du transistor bipolaire à transfert électronique

Christophe Dalle, M.R. Friscourt

12èmes Journées Nationales Microondes, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00005315⟩

• Article dans une revue

Picture quality measurement based on block visibility in discrete cosine transform coded video sequences

François-Xavier Coudoux, Marc G. Gazalet, C. Derviaux, Patrick Corlay

Journal of Electronic Imaging, 2001, 10, pp.498-510. ⟨hal-00152910⟩