Publications

• Article dans une revue

Threshold voltage study of scaled self-aligned In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor field effect transistor for different source/drain doping concentrations

A. Dehzangi, M.F. Mohd Razip Wee, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, M.R. Buyong, B.Y. Majlis

A multi-gate n-type In0.53Ga0.47As metal oxide semiconductor field effect transistor is fabricated using the gate first self-aligned method and air-bridge technology with an 8 nm thick Al2O3 oxide layer. By scaling the gate length down to 200 nm, the effect of two different source/drain doping…

Micro and Nano Letters, 2014, 9, pp.180-183. ⟨10.1049/mnl.2014.0007⟩. ⟨hal-00969127⟩

• Communication dans un congrès

Lignes de transmission imprimées pour les applications RF jusqu'à 67 GHz

Mohamed Moez Belhaj, Wei Wei, Emiliano Pallecchi, Colin Mismer, Isabelle Roch-Jeune, Henri Happy

Cette lettre présente la caractérisation radiofréquence (RF) des guides d'ondes coplanaires (CPW) imprimées avec et sans déformation. Le PET et le Kapton sont choisis comme substrats souples avec des températures de frittage différentes. Avec les paramètres d'impression à jet d'encre…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, May 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018390⟩

• Communication dans un congrès

Contrôle de la porosité dans des films d'or pour des micro-supercondensateurs

Aymeric Pastre, K. Raulin, Alexandre Boé, Nathalie Rolland, Odile Cristini, R. Bernard

Cet article présente un matériau d'électrode original pour les micro-supercondensateurs basé sur un film mince d'or poreux. Le procédé de fabrication implique le dépôt d'or par un procédé de chimie en solution. L'utilisation de polymères comme templates nous permet de générer…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018420⟩

• Article dans une revue

A study on effect of wafer bow in wafer-level BCB cap transfer packaging

Seonho Seok, Janggil Kim

This paper investigates the effects of wafer bow of Si carrier wafer to achieve high-yield BCB cap transfer in wafer-scale packaging. BCB caps are built-up on Si carrier wafer and then they are bonded and transferred to a target wafer. The height of BCB cap is 25 lm and the thickness of Si carrier…

Microsystem Technologies, 2014, 20, pp.215-219. ⟨10.1007/s00542-013-1780-5⟩. ⟨hal-00939051⟩

• Communication dans un congrès

Intégration hétérogène de systèmes communicants CMOS-SOI en gamme millimétrique

Justine Philippe, Aurélien Lecavelier, Francois Danneville, Daniel Gloria, Emmanuel Dubois

Depuis plusieurs années, l'électronique flexible permet de fabriquer à faible coût des dispositifs souples sur de grandes surfaces. Cependant, les performances de ce type de circuit sont actuellement limitées par les faibles mobilités de ces matériaux (de l'ordre du cm².V-1.s-1), rendant…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020278⟩

• Autre publication scientifique

Conception de récepteurs hétérodynes sub-THz en technologie CMOS 65 nm

José Moron Guerra

Le but de cette thèse est d'explorer les opportunités de design au-delà des fréquences millimétriques en se rapprochant le plus possible de la bande THz en technologie CMOS. L'application spécifique est la détection hétérodyne pour l'imagerie THz. Sachant qu'on vise des…

2014. ⟨hal-01020489⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation électrique d'une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW

Adrien Cutivet, A. Thevenot, A. Chakroun, N. Defrance, H. Maher, F. Boone

L'étude présentée a pour objectif la détermination des propriétés électriques d'un échantillon par la caractérisation de lignes de transmissions coplanaires (CPW) de dimensions et de nature différentes. La structure étudiée est une structure Métal Isolant Semiconducteur (MIS) pour…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020312⟩

• Communication dans un congrès

Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques

Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière

Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020310⟩

• Communication dans un congrès

All 2D graphene-metal chalcogenides hybrid photodetector

Adrien Robin, Emmanuel Lhuillier, Emiliano Pallecchi, Abdelkarim Ouerghi, Benoit Dubertret

30 years of Colloidal Quantum Dots, 2014, Paris, France. ⟨hal-01015220⟩

• Communication dans un congrès

Mesure non linéaire dédiée aux amplificateurs de puissance radar excités par un train de pulses non périodique avec un NVNA basé sur des mélangeurs

Vincent Bridier, Damien Ducatteau, Hans-Joachim Simon, François Graux, Gilles Dambrine

Une mesure de forme d'onde temporelle en mode pulsé non périodique mais répétitif a été réalisée en utilisant un NVNA commercial basé sur des mélangeurs en mode périodique. Puis pour la première fois, un NVNA 20GHz six ports basé sur des mélangeurs a été modifié afin de mesurer trois…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018367⟩