Publications

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  • Communication dans un congrès

Current-voltage characteristics of (Mo/Au)/AlGaN/GaN/Si Schottky diodes

H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref

The AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is a promising candidate for microwave applications due to its high power and high temperature. owing to their large and direct band gap, as well as favorable transport properties. Moreover, III-V nitrides could be suitable for the emitters…

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France. ⟨hal-00961393⟩

  • Communication dans un congrès

Mesure de la permittivité complexe du polydimethylsiloxane (PDMS) jusqu'à 220 GHz pour la mise en oeuvre d'une électronique souple

Pierre-Yves Cresson, Yovan Orlic, Jean-François Legier, Erick Paleczny, Luc Dubois, Philippe Coquet, Nicolas Tiercelin, Sami Hage-Ali, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky, Tuami Lasri

Des lignes coplanaires sont réalisées sur un film souple de Polydimethylsiloxane (PDMS) de 182 μm d'épaisseur. Après avoir mesuré les paramètres [S] de ces lignes, des algorithmes ajustent la permittivité complexe du matériau pour que les valeurs des constantes de propagation extraites des…

13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM2014, 2014, Nantes, France. article 9, 4 p. ⟨hal-01005731⟩

  • Communication dans un congrès

Métasurfaces absorbantes flexibles en ondes millimétriques

Ludovic Burgnies, Jianping Hao, Colin Mismer, Guillaume Ducournau, Eric Lheurette, Didier Lippens

Dans cette communication, nous présentons une étude de faisabilité ainsi que la vérification expérimentale de structures planaires absorbantes dans la gamme des ondes millimétriques réalisées en technologie flexible. L'absorption large bande est obtenue grâce aux différentes fréquences de…

13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM2014, 2014, Nantes, France. article 8, 4 p. ⟨hal-01005672⟩

  • Communication dans un congrès

CVD graphene growth on Ni films and transfer

Geetanjali Deokar, Jean-Louis Codron, Christophe Boyaval, Xavier Wallart, Dominique Vignaud

4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France. ⟨hal-01005676⟩

  • Communication dans un congrès

High Efficiency Process for Industrial Manufacturing of p-Type Crystalline Silicon Solar Cells Developed in the Frame of PROTERRA Project

N. Le Quang, P. Gall, R. Monna, M. Gauthier, Davy Gérard, S. Williatte, A. Rambaud, G. Goaer, Mustapha Lemiti, B. Pelissier, D. Conte, J. Moyroud, Jean-Pierre Vilcot, M. Pawlik, Mathieu Halbwax

no abstract

29th E-PVSEC, 2014, Amsterdam, The, Netherlands. ⟨hal-01489927⟩

  • Communication dans un congrès

Transistors à effet de champ à base du graphène sur SiC avec grille en T : homogénéité et performances

Mohamed Salah Khenissa, D. Mele, Mohamed Moez Belhaj, Ivy Colambo, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy

Dans ce papier, nous vous présentons notre travail sur les transistors à effet de champ à base de graphène GFET à grille isolée. Les transistors ont été réalisés sur le graphène épitaxié dont la synthétisation a été faite sur la face Si d'un substrat SiC, en utilisant l'Al203 comme un…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018370⟩

  • Communication dans un congrès

Silicon pillars as resonators in an acoustical metamaterial

B. Bonello, R. Marchal, R. Moiseyenko, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, J. Zhao, O. Boyko

We have investigated the propagation of Lamb waves in structures made of either an isolated resonant pillar or a set of pillars arranged in a line on a thin plate. The resonators as well as the plate are made of silicon. FEM computations show that two bending modes and one compressional mode are…

ASME 2014 International Mechanical Engineering Congress and Exposition, IMECE 2014, Nov 2014, Montreal, Canada. ⟨10.1115/IMECE2014-37914⟩. ⟨hal-03508193⟩