Publications

• Communication dans un congrès

50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz

J.J. Mo, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert

20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799699⟩

• Communication dans un congrès

APTS assisted carbon nanotubes thin layers on a polymer substrate

J. Thielleux, H. Happy

20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799698⟩

• Chapitre d'ouvrage

Ingénierie des matériaux et des structures, mécanique des solides, acoustique

Djimédo Kondo, Piotr Breitkopf, Robert Charlier, Paul Cristini, Valerie Deplano, Bertrand Dubus, Joseph Gril, Thierry Le Mogne, Frédéric Lebon, Nathalie Maurel, Nicolas Moes, Laurent Orgéas, Vincent Pagneux, Etienne Patoor, Sylvie Pommier, Claire Prada, Edgar Rauch, Jean-Jacques Sinou, Frédéric Valès, Claude Verdier

Les disciplines représentées dans la section 09 sont à la fois des disciplines de savoir, et des disciplines de l’ingénierie. On les retrouve aussi bien dans les activités de génération de connaissances de base, que dans la démarche de mise en œuvre de ces connaissances dans des réalisations…

Rapport de conjoncture 2010 du Comité national de la recherche scientifique, CNRS Editions, pp.169-186, 2011, ISBN 978-2-271-07263-4. ⟨hal-00799637⟩

• Article dans une revue

Above 600 mS/mm transconductance with 2.3 A/mm drain current density AlN/GaN high electron mobility transistors grown on silicon

F Medjdoub, Malek Zegaoui, Nicolas Waldhoff, B. Grimbert, N. Rolland, Paul-Alain Rolland

AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a record extrinsic transconductance above 600 mS/mm has been reached, which is well…

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2011, 4 (6), pp.064106-1-3. ⟨10.1143/APEX.4.064106⟩. ⟨hal-00603010⟩

• Communication dans un congrès

[Invited] On-wafer S-parameters and noise measurements from D to J-band

N. Waldhoff

European Microwave Week, EuMIC/EuMC, Workshop W10 - From de-embedding to waveform engineering, 2011, Manchester, United Kingdom. ⟨hal-00807123⟩

• Communication dans un congrès

Systèmes radiofréquences avancés pour communication inter-puces multi-gigabits à 60GHz

S. Foulon, Christophe Loyez, S. Pruvost, N. Rolland

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 274, 2E8, 1-3. ⟨hal-00597147⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm

J. Mo, A. Olivier, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, L. Desplanque, X. Wallart, Francois Danneville, Gilles Dambrine, F. Martin, O. Desplats, S. Bollaert

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 122, 2C3, 1-4. ⟨hal-00597145⟩

• Communication dans un congrès

Nanowires and nanocones for new nanostructured materials

D. Hourlier, P. Perrot

Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00591389⟩

• Communication dans un congrès

Atom probe investigation of silicon nanowires grown by VLS and IPSLS

W. M. Chen, P. Pareige, B. Grandidier, D. Stievenard, Lianbo Yu, Pere Roca I Cabarrocas

Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00591402⟩

• Communication dans un congrès

Growth of self-catalyzed GaAs nanowire arrays on Si(111) using a VLS mechanism

S.R. Plissard, G. Larrieu, K.A. Dick, X. Wallart, P. Caroff

Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00591395⟩