Publications

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  • Communication dans un congrès

Conception d'un microsystème acoustique permettant la caractérisation ultrasonore haute fréquence en transmission

Assane Ndieguene, S. Wang, Julien Carlier, Pierre Campistron, Wei-Jiang Xu, Dorothée Debavelaere-Callens, Bertrand Nongaillard, X. Zhao

10ème Congrés Français d'Acoustique, CFA 10, 2010, Lyon, France. ⟨hal-00574482⟩

  • Communication dans un congrès

Communications sur lignes d'énergie pour assurer des communications intra-véhicule

Pierre Degauque, Virginie Degardin, M. Lienard, Pierre Laly

Congrès Méditerranéen des Télécommunications, CMT'2010, 2010, Casablanca, Maroc. ⟨hal-00574431⟩

  • Communication dans un congrès

Band gaps and waveguiding in photonic and phononic crystal slab

Yan Pennec

Rencontres Thématiques du GT2 du GDR Ondes : Micro, nano-structures et dispositifs de l'optique au microondes, 2010, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00574404⟩

  • Communication dans un congrès

Cristaux phononiques hypersoniques à base d'oxyde d'aluminium nanoporeux

A. Sato, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, G. Fytas, W. Knoll, M. Steinhart

12èmes Journées de la Matière Condensée, JMC12, 2010, Troyes, France. ⟨hal-00574126⟩

  • Chapitre d'ouvrage

BAW-IC co-integration tunable filters at GHz frequencies

A. Cathelin, S. Razafimandimby, A. Kaiser

A.H.M. van Roermund, M. Steyaert, H. Casier. Analog circuit design : smart data converters, filters on chip, multimode transmitters, Springer-Verlag, pp.207-232, 2010. ⟨hal-00575846⟩

  • Chapitre d'ouvrage

Microtechnologies and micromanipulation

L. Buchaillot

Chaillet N., Régnier S. Microrobotics for micromanipulation, Wiley-ISTE, pp.335-368, 2010. ⟨hal-00575862⟩

  • Article dans une revue

Temperature dependent properties of InSb and InAs nanowire field-effect transistors

H.A. Nilsson, P. Caroff, C. Thelander, E. Lind, O. Karlström, L.E. Wernersson

Applied Physics Letters, 2010, 96, pp.153505-1-3. ⟨10.1063/1.3402760⟩. ⟨hal-00548729⟩

  • Communication dans un congrès

Atomic scale dopant metrology in an individual silicon nanowire by atom probe tomography

W.H. Chen, Rodrigue Lardé, Emmanuel Cadel, T. Xu, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stiévenard, Philippe Pareige

In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic scale using the three dimensional laser assisted Atom Probe Tomography (APT…

Nanotechnology 2010 Advanced Materials, CNTs, Particles, Films and Composites - 2010 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2010, Jun 2010, Anaheim, CA, United States. pp.29-32. ⟨hal-01953261⟩