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Publicaciones

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  • Communication dans un congrès

Optimisation of HSQ e-beam lithography for the patterning of FinFET transistors

F. Fruleux, J. Penaud, Emmanuel Dubois, M. Francois, M. Muller

2005, pp.9C01. ⟨hal-00138404⟩

  • Communication dans un congrès

Impact of the intrinsic parameters of the dielectric on the leakage current

G. Larrieu, M. Tao

2nd International Workshop on Advanced Gate Stack Technology, 2005, Austin, TX, United States. ⟨hal-00138407⟩

  • Autre publication scientifique

Conception et réalisation de systèmes en gamme millimétrique pour l'évaluation non destructive : application à la restauration de profils et d'images d'objets enfouis

M. Maazi

2005. ⟨hal-00138433⟩

  • Autre publication scientifique

Propriétés optiques de structures guidantes en cristal photonique

S. Fasquel

2005. ⟨hal-00138583⟩

  • Autre publication scientifique

Etudes théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences

M. Werquin

2005. ⟨hal-00138586⟩

  • Autre publication scientifique

Compatibilité électromagnétique des lignes ferroviaires électrifiées : évaluation de l'influence de l'infrastructure

A. Cozza

2005. ⟨hal-00138590⟩

  • Article dans une revue

94 GHz high power performances of InAs0.4P0.6 channel HEMTs on InP

F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron

Electronics Letters, 2005, 41, pp.63-64. ⟨hal-00126459⟩

  • Article dans une revue

High performances of InP channel power HEMT at 94 GHz

F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron

Electronics Letters, 2005, 41, pp.1406-1408. ⟨hal-00154912⟩

  • Article dans une revue

Resonant Raman scatterring study of Ar<sup>+</sup> ion-implanted AlGaN

B. Boudart, Y. Guhel, J.C. Pesant, P. Dhamelincourt, M.A. Poisson

160 keV Ar+ ions were homogeneously implanted in AlGaN at room temperature for device isolation purposes. Resonance Raman spectroscopy and DC electrical measurements were used to monitor the structural and electrical changes of the non-annealed and annealed implanted AlGaN samples with a dose...

  • Article dans une revue

Biaxial initial stress characterization of bilayer gold RF-switches

K. Yacine, F. Flourens, David Bourrier, Ludovic Salvagnac, P. Calmont, X. Lafontan, Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou, Patrick Pons, Robert Plana

Microelectronics Reliability, 2005, 45, pp.1776-1781. ⟨10.1016/j.microrel.2005.07.093⟩. ⟨hal-00128652⟩