Publicaciones

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  • Communication dans un congrès

Advanced and nanometric MOSFET architecture, multiple gate devices and Pi gates

J. Penaud, F. Fruleux, Emmanuel Dubois, G. Larrieu

MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, MIGAS'04, 2004, Autrans, France. ⟨hal-00140995⟩

  • Autre publication scientifique

Contribution à l'introduction de concepts mécaniques dans les micro et les nano systèmes

L. Buchaillot

2004. ⟨hal-00141025⟩

  • Article dans une revue

Electrostatic actuated microgripper using an amplification mechanism

O. Millet, P. Bernardoni, S. Regnier, P. Bidaud, E. Tsitsiris, D. Collard, L. Buchaillot

Sensors and Actuators A: Physical , 2004, 114, pp.371-378. ⟨hal-00141006⟩

  • Communication dans un congrès

Influence de la topologie sur les émissions de mode commun d'un chargeur de batteries

C. Semet, N. Idir

Actes du 12ème Colloque International et Exposition sur la Compatibilité Electromagnétique, CEM'04, 2004, Toulouse, France. ⟨hal-00142322⟩

  • Communication dans un congrès

Effect of objects into cavities on the field distribution : experimental analysis

S. Baranowski, L. Kone, B. Demoulin

2004, pp.739-743. ⟨hal-00142336⟩

  • Communication dans un congrès

Millimeter ultra wide band positioning system

Michael Bocquet, Christophe Loyez, A. Benlarbi-Delai

2004, pp.265-268. ⟨hal-00142284⟩

  • Communication dans un congrès

Performances of AlGaN/GaN HEMTs in planar technology

M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière

2004, pp.303-306. ⟨hal-00142305⟩

  • Communication dans un congrès

Fabrication and creep behavior of SiCN(O) nanocomposites

Mohamed Amara, R. Dez, Sylvie Foucaud, D. Bahloul-Hourlier, P. Goursat, Nathalie Herlin-Boime

4th International Symposium on Nitrides, 2004, Belgium. pp.281-285. ⟨hal-00248025⟩

  • Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/...

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩