International Conference Piezoresponse Force Microscopy and Nanoscale Phenomena in Polar Materials – PFM 2014, 2014, Ekaterinburg, Russia. ⟨hal-01702958⟩

ART

Control of the ionization state of three single donor atoms in silicon

B. Voisin, M. Cobian, X. Jehl, M. Vinet, Yann-Michel Niquet, Christophe Delerue, Silvano de Franceschi, M. Sanquer

By varying the front-gate and the substrate voltages in a short silicon-on-insulator trigate field-effect transistor, we control the ionization state of three arsenic donors. We obtain good quantitative agreement between three-dimensional electrostatic simulations and experiment for the control...

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2014, 89, pp.161404. ⟨10.1103/PhysRevB.89.161404⟩. ⟨hal-00981141⟩

COMM

Caractérisation électrique d'une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW

Adrien Cutivet, A. Thevenot, A. Chakroun, N. Defrance, H. Maher, F. Boone

L'étude présentée a pour objectif la détermination des propriétés électriques d'un échantillon par la caractérisation de lignes de transmissions coplanaires (CPW) de dimensions et de nature différentes. La structure étudiée est une structure Métal Isolant Semiconducteur (MIS) pour...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020312⟩

COMM

Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques

Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière

Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020310⟩

COMM

Intégration hétérogène de systèmes communicants CMOS-SOI en gamme millimétrique

Justine Philippe, Aurélien Lecavelier, Francois Danneville, Daniel Gloria, Emmanuel Dubois

Depuis plusieurs années, l'électronique flexible permet de fabriquer à faible coût des dispositifs souples sur de grandes surfaces. Cependant, les performances de ce type de circuit sont actuellement limitées par les faibles mobilités de ces matériaux (de l'ordre du cm².V-1.s-1), rendant...

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020278⟩

OTHER

Conception de récepteurs hétérodynes sub-THz en technologie CMOS 65 nm

José Moron Guerra

Le but de cette thèse est d'explorer les opportunités de design au-delà des fréquences millimétriques en se rapprochant le plus possible de la bande THz en technologie CMOS. L'application spécifique est la détection hétérodyne pour l'imagerie THz. Sachant qu'on vise des...

2014. ⟨hal-01020489⟩

ART

Extra-low parasitic gate-to-contacts capacitance architecture for sub-14 nm transistor nodes

Heimanu Niebojewski, Cyrille Le Royer, Y. Morand, Olivier Rozeau, Marie-Anne Jaud, Emmanuel Dubois, Thierry Poiroux, D. Bensahel

We investigate in this work an original contact architecture to address 64 nm pitch transistor technology. This architecture, studied here in the fully-depleted silicon-on insulator (FDSOI) flavour, remains suitable for planar and 3D (trigate, FinFET) approaches. It includes a recessed gate-first...

Solid-State Electronics, 2014, 97, pp.45-51. ⟨10.1016/j.sse.2014.04.028⟩. ⟨hal-01000014⟩